公开(公告)号：CN106033726A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510104438.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王蛟 ,  黄枫 ,  赵龙杰 ,  林峰 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/1033

Abstract: 一种场效应晶体管的制作方法，多晶硅层形成后，光刻和刻蚀多晶硅层以形成源端区域，然后保留光刻胶，与衬底结构表面呈70°～80°的注入角度进行杂质注入。因为杂质注入有一定的注入角度，源端区域边缘的多晶硅层和栅氧化层有一部份区域会被杂质注入射穿，并注入到衬底结构内部，由此可以形成一个稳定的、极小的沟道。从而，在不增加光刻版以及不降低BV的情况下，极大的减小沟道长度，使得Rdson比传统制造技术的Rdson大大降低。

公开(公告)号：CN106158957A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510169433.4

申请日：2015-04-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述方法包括：提供形成有第一N阱、第一P阱以及浅槽隔离结构的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；对高温氧化膜进行光刻和干法刻蚀，并留下一薄层作为刻蚀缓冲层；进行湿法腐蚀，将未被光刻胶覆盖区域的刻蚀缓冲层去除，形成迷你氧化层；进行光刻和离子注入在第一N阱内形成第二N阱，以及在第一P阱内形成第二P阱；在所述晶圆表面形成多晶硅栅和栅氧层；光刻并注入N型离子，形成漏极和源极。本发明通过在STI结构LDMOS的沟道区靠近漂移区一侧增加一块迷你氧化层，可以在不增加LDMOS面积的情况下，大幅度地提高LDMOS的off-BV。

公开(公告)号：CN105810583A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201410849111.X

申请日：2014-12-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵 ,  刘理想 ,  平梁良 ,  陈凤英

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括：提供形成有N型埋层、STI、第一N阱以及第一P阱的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；进行热推阱并对高温氧化膜进行光刻和刻蚀，形成迷你氧化层；在第一N阱内形成第二N阱，以及在所述第一N阱和第一P阱内形成第二P阱；在晶圆表面形成栅氧化层和多晶硅栅；光刻并注入N型离子，在第二N阱内、迷你氧化层和与迷你氧化层相邻的STI间形成漏极，同时在第二P阱内形成源极。本发明利用应力较小的HTO来做降低LDMOS表面电场的mini-oxide，有源区边缘不会产生dislocation。通过推阱步骤使得HTO变致密，极大地降低了HTO的湿法腐蚀速率，保证了mini-oxide在后续清洗过程中腐蚀量可得到稳定控制，可用于批量生产。