公开(公告)号：CN105226047A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410245009.9

申请日：2014-06-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 杨欢 ,  宋华 ,  王蛟

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：a)提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有布线金属层，布线金属层上形成有介电层，介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中第二介电层的材料不同于第一介电层和第三介电层；b)依次对第三介电层、第二介电层和第一介电层进行图案化，以形成第一凹槽；c)采用湿法刻蚀从第一凹槽向两侧对第二介电层进行刻蚀，以在第一介电层和第三介电层之间形成横向槽，并使第一凹槽暴露布线金属层；以及d)在布线金属层以及第三介电层上形成反射层，且布线金属层上的反射层与第三介电层上的反射层断开。该方法能够使焊垫上的反射层与焊垫外的反射层断开。

公开(公告)号：CN105990212A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510047580.4

申请日：2015-01-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 宋华 ,  王蛟 ,  杨欢

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76202 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76227 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823481

Abstract: 本发明涉及一种沟槽隔离结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底上形成氧化层；在氧化层表面依次生成氧化阻挡层以及正硅酸乙酯层；对氧化阻挡层和正硅酸乙酯层进行刻蚀；以氧化阻挡层和正硅酸乙酯层作为掩蔽层进行腐蚀形成沟槽；去除正硅酸乙酯层，并以氧化阻挡层作为阻挡层对沟槽进行氧化；对沟槽区域进行多晶硅填充后对多晶硅进行回刻，将氧化阻挡层表面的多晶硅去除；去除氧化阻挡层和衬底表面的氧化层完成沟槽隔离结构的制备。上述沟槽隔离结构的制备方法制得的沟槽隔离结构的关键尺寸较小且沟槽隔离结构的顶部具有较好的平坦度。

公开(公告)号：CN105448973A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410407727.1

申请日：2014-08-18

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王蛟 ,  宋华 ,  杨欢

IPC: H01L29/76 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明涉及一种阱电阻结构，包括绝缘层和绝缘层上的有源区，所述有源区包括阱区，所述有源区还包括向下延伸至所述绝缘层的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在横向上将所述阱区包围、在竖向上使所述阱区被分隔开；所述阱电阻结构还包括设于阱区上并与阱区接触的金属触点。本发明还涉及一种阱电阻结构的制造方法，及一种绝缘体上硅器件。本发明通过在有源区区域内形成沟槽隔离结构，使得阱区在横向上被沟槽隔离结构所阻挡，不会形成多数载流子的横向扩散，因此可以得到电阻值较准确的阱电阻。

公开(公告)号：CN106033726A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510104438.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王蛟 ,  黄枫 ,  赵龙杰 ,  林峰 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/1033

Abstract: 一种场效应晶体管的制作方法，多晶硅层形成后，光刻和刻蚀多晶硅层以形成源端区域，然后保留光刻胶，与衬底结构表面呈70°～80°的注入角度进行杂质注入。因为杂质注入有一定的注入角度，源端区域边缘的多晶硅层和栅氧化层有一部份区域会被杂质注入射穿，并注入到衬底结构内部，由此可以形成一个稳定的、极小的沟道。从而，在不增加光刻版以及不降低BV的情况下，极大的减小沟道长度，使得Rdson比传统制造技术的Rdson大大降低。