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公开(公告)号：CN105226047A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410245009.9
申请日：2014-06-04
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L23/525 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：a)提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有布线金属层，布线金属层上形成有介电层，介电层包括依次形成的第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中第二介电层的材料不同于第一介电层和第三介电层；b)依次对第三介电层、第二介电层和第一介电层进行图案化，以形成第一凹槽；c)采用湿法刻蚀从第一凹槽向两侧对第二介电层进行刻蚀，以在第一介电层和第三介电层之间形成横向槽，并使第一凹槽暴露布线金属层；以及d)在布线金属层以及第三介电层上形成反射层，且布线金属层上的反射层与第三介电层上的反射层断开。该方法能够使焊垫上的反射层与焊垫外的反射层断开。
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公开(公告)号：CN106972076A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610025128.2
申请日：2016-01-14
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/311
CPC classification number: H01L27/146 , H01L31/103 , H01L21/311 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L31/02327 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种制作光电二极管的方法，包括：提供半导体衬底并在半导体衬底中形成光电二极管PN结，光电二极管PN结与模拟电路中的有源器件同步形成；在半导体衬底上沉积形成多层结构；在多层结构中形成窗口，窗口开设在光电二极的PN结上方；在窗口区域表面沉积氮化硅和/或二氧化硅形成反射层。此外，还提供一种光电二极管和光感应器。在保持现有半导体工艺中原有器件性能不变的情况下，光电二极管PN结与模拟电路中的有源器件同步形成，同时改变光电二极管窗口的腐蚀工艺，在窗口区域增加反射层，实现了在任意工艺平台上光电二极管与模拟电路中有源器件的单芯片集成。光电二极管与模拟电路集成在同一个芯片的工艺过程简单、成本低。
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公开(公告)号：CN106653830A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510713750.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件耐压结构，该半导体器件耐压结构包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且该高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，该半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板。其中，导体场板位于半绝缘电阻场板的上方，且导体场板处于介质层中。所有半绝缘电阻场板均与场氧化层相邻。导体场板与半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一电容器至少能与另一电容器传送能量。该半导体器件耐压结构在整体上减小了漂移区表面承受的高压，提高了半导体器件的击穿电压，使得半导体器件能够在更高的电压下工作。
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公开(公告)号：CN105990212A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510047580.4
申请日：2015-01-29
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76202 , H01L21/762 , H01L21/76205 , H01L21/76224 , H01L21/76227 , H01L21/76264 , H01L21/76286 , H01L21/763 , H01L21/823481
Abstract: 本发明涉及一种沟槽隔离结构的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底上形成氧化层；在氧化层表面依次生成氧化阻挡层以及正硅酸乙酯层；对氧化阻挡层和正硅酸乙酯层进行刻蚀；以氧化阻挡层和正硅酸乙酯层作为掩蔽层进行腐蚀形成沟槽；去除正硅酸乙酯层，并以氧化阻挡层作为阻挡层对沟槽进行氧化；对沟槽区域进行多晶硅填充后对多晶硅进行回刻，将氧化阻挡层表面的多晶硅去除；去除氧化阻挡层和衬底表面的氧化层完成沟槽隔离结构的制备。上述沟槽隔离结构的制备方法制得的沟槽隔离结构的关键尺寸较小且沟槽隔离结构的顶部具有较好的平坦度。
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公开(公告)号：CN104916674A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN105448973A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410407727.1
申请日：2014-08-18
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/76 , H01L21/334
Abstract: 本发明涉及一种阱电阻结构，包括绝缘层和绝缘层上的有源区，所述有源区包括阱区，所述有源区还包括向下延伸至所述绝缘层的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构在横向上将所述阱区包围、在竖向上使所述阱区被分隔开；所述阱电阻结构还包括设于阱区上并与阱区接触的金属触点。本发明还涉及一种阱电阻结构的制造方法，及一种绝缘体上硅器件。本发明通过在有源区区域内形成沟槽隔离结构，使得阱区在横向上被沟槽隔离结构所阻挡，不会形成多数载流子的横向扩散，因此可以得到电阻值较准确的阱电阻。
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公开(公告)号：CN102386121B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010268643.6
申请日：2010-09-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
CPC classification number: H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/74 , H01L29/02 , H01L29/0821
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件和半导体埋层的制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括第一氧化层；以具有第一埋层区图案的光刻胶层为掩膜，在所述基底表面内形成第一埋层区，所述第一埋层区与基底的其他区域具有不同的掺杂状态；在具有第一埋层区的基底表面上形成第二氧化层；以所述第二氧化层为掩膜在所述基底表面内采用自对准工艺形成第二埋层区。本发明公开的方法既降低了埋层工艺流程复杂度，减少了工艺成本，又降低了出现晶格缺陷的几率。
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公开(公告)号：CN102386121A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010268643.6
申请日：2010-09-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
CPC classification number: H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/74 , H01L29/02 , H01L29/0821
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件和半导体埋层的制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括第一氧化层；以具有第一埋层区图案的光刻胶层为掩膜，在所述基底表面内形成第一埋层区，所述第一埋层区与基底的其他区域具有不同的掺杂状态；在具有第一埋层区的基底表面上形成第二氧化层；以所述第二氧化层为掩膜在所述基底表面内采用自对准工艺形成第二埋层区。本发明公开的方法既降低了埋层工艺流程复杂度，减少了工艺成本，又降低了出现晶格缺陷的几率。
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