公开(公告)号：CN106653830A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510713750.8

申请日：2015-10-28

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 顾炎 ,  宋华 ,  张森

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件耐压结构，该半导体器件耐压结构包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且该高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，该半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板。其中，导体场板位于半绝缘电阻场板的上方，且导体场板处于介质层中。所有半绝缘电阻场板均与场氧化层相邻。导体场板与半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一电容器至少能与另一电容器传送能量。该半导体器件耐压结构在整体上减小了漂移区表面承受的高压，提高了半导体器件的击穿电压，使得半导体器件能够在更高的电压下工作。

公开(公告)号：CN105990423A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510054806.3

申请日：2015-02-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 顾炎 ,  苏巍 ,  张森

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种横向双扩散场效应管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出栅极引出端作为栅电极，因而当在栅电极加上一定电压时，沟槽两侧的栅绝缘层与第一导电类型阱都形成反型层，即导电沟道；当漏极结构(第二导电类型漏极掺杂区)上有电压时，导电沟道中有电流流过。如果栅极沟槽结构的个数为N个，则电流流过的导电沟道就有2N个，较之传统的LDMOS的单个元胞结构中电流密度显著增加，从而可以在多元胞结构下总体提高了单个器件的电流密度。因而，在同样的工作电流下，上述横向双扩散场效应管因为单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通电阻小。

公开(公告)号：CN105990408A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510054601.5

申请日：2015-02-02

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 顾炎 ,  苏巍 ,  张森

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/735

Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出栅极引出端作为栅电极，因而当在栅电极加上一定电压时，沟槽两侧的栅绝缘层与第一导电类型阱都形成反型层，即导电沟道；当漏极结构(第一导电类型漏极掺杂区)上有电压时，导电沟道中有电流流过。如果栅极沟槽结构的个数为N个，则电流流过的导电沟道就有2N个，较之传统的单沟道SOI-LIGBT的单个元胞结构中电流密度显著增加，从而可以在多元胞结构下总体提高了单个器件的电流密度。因而，在同样的工作电流下，上述横向绝缘栅双极型晶体管因为单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通压降小。

公开(公告)号：CN104916674A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510181744.2

申请日：2015-04-17

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  顾炎 ,  宋华 ,  张森 ,  苏巍

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0808

Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。