公开(公告)号：CN106206561A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510213256.5

申请日：2015-04-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙俊 ,  林中瑀 ,  汪广羊 ,  孙贵鹏

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明涉及一种LDMOS可控硅结构的静电保护器件，包括P型衬底，所述衬底上N阱、P阱，搭接于所述P阱上且延伸至所述N阱边缘的栅极，设于所述N阱内的第一N+结构和第一P+结构，设于所述P阱内的第二N+结构和第二P+结构，所述第一N+结构为漏极N+结构，所述第一P+结构为漏极P+结构，所述第二N+结构为源极N+结构，所述第二P+结构为源极P+结构，所述漏极P+结构到所述栅极的距离大于所述漏极N+结构到所述栅极的距离。本发明LDMOS-SCR的漏极P+结构到栅极的距离大于漏极N+结构到栅极的距离，不易形成穿通，因此可以确保击穿电压BV。