公开(公告)号：CN102569075B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201010589182.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件；且在后续进行CMP工艺时，可以实现基底表面的全局平坦化，减小了工艺缺陷的发生。

公开(公告)号：CN102569075A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010589182.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件；且在后续进行CMP工艺时，可以实现基底表面的全局平坦化，减小了工艺缺陷的发生。

公开(公告)号：CN104377244A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310358585.X

申请日：2013-08-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  孙贵鹏 ,  韩广涛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7801

Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区为指状结构，其包括数条沿源区到所述漏区方向延伸的条状场区，所述条状场区之间由有源区隔离；条状场区上有从栅极延伸过来的条状栅极延伸区。根据本发明制作的半导体器件，利用条状场区上的条状栅极，使整个漂移区耗尽，实现较高的关态击穿电压，而一条条有源区的出现又使整个漂移区的杂质浓度提高，减小导通电阻。

公开(公告)号：CN104377243A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310351199.8

申请日：2013-08-13

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  黄枫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区和所述漏区之间具有一定距离。根据本发明制作的半导体器件，在保持原有漂移区尺寸不变的前提下，将漂移区靠近漏端的场区尺寸缩短，使原有全部为场区的漂移区，变为一段场区和一段有源区，以降低LDMOS导通电阻，同时提高开状态崩溃电压。

公开(公告)号：CN102931089B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110228658.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫 ,  任刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述LDMOS器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，不仅可实现与0.18μm的工艺兼容，而且还能提高LDMOS器件耐压的均匀性。

公开(公告)号：CN102931089A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110228658.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫 ,  任刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述LDMOS器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，不仅可实现与0.18μm的工艺兼容，而且还能提高LDMOS器件耐压的均匀性。

公开(公告)号：CN106033726A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510104438.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王蛟 ,  黄枫 ,  赵龙杰 ,  林峰 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/1033

Abstract: 一种场效应晶体管的制作方法，多晶硅层形成后，光刻和刻蚀多晶硅层以形成源端区域，然后保留光刻胶，与衬底结构表面呈70°～80°的注入角度进行杂质注入。因为杂质注入有一定的注入角度，源端区域边缘的多晶硅层和栅氧化层有一部份区域会被杂质注入射穿，并注入到衬底结构内部，由此可以形成一个稳定的、极小的沟道。从而，在不增加光刻版以及不降低BV的情况下，极大的减小沟道长度，使得Rdson比传统制造技术的Rdson大大降低。

公开(公告)号：CN106158957A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510169433.4

申请日：2015-04-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述方法包括：提供形成有第一N阱、第一P阱以及浅槽隔离结构的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；对高温氧化膜进行光刻和干法刻蚀，并留下一薄层作为刻蚀缓冲层；进行湿法腐蚀，将未被光刻胶覆盖区域的刻蚀缓冲层去除，形成迷你氧化层；进行光刻和离子注入在第一N阱内形成第二N阱，以及在第一P阱内形成第二P阱；在所述晶圆表面形成多晶硅栅和栅氧层；光刻并注入N型离子，形成漏极和源极。本发明通过在STI结构LDMOS的沟道区靠近漂移区一侧增加一块迷你氧化层，可以在不增加LDMOS面积的情况下，大幅度地提高LDMOS的off-BV。

公开(公告)号：CN105810583A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201410849111.X

申请日：2014-12-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵 ,  刘理想 ,  平梁良 ,  陈凤英

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括：提供形成有N型埋层、STI、第一N阱以及第一P阱的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；进行热推阱并对高温氧化膜进行光刻和刻蚀，形成迷你氧化层；在第一N阱内形成第二N阱，以及在所述第一N阱和第一P阱内形成第二P阱；在晶圆表面形成栅氧化层和多晶硅栅；光刻并注入N型离子，在第二N阱内、迷你氧化层和与迷你氧化层相邻的STI间形成漏极，同时在第二P阱内形成源极。本发明利用应力较小的HTO来做降低LDMOS表面电场的mini-oxide，有源区边缘不会产生dislocation。通过推阱步骤使得HTO变致密，极大地降低了HTO的湿法腐蚀速率，保证了mini-oxide在后续清洗过程中腐蚀量可得到稳定控制，可用于批量生产。

公开(公告)号：CN106033726B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201510104438.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王蛟 ,  黄枫 ,  赵龙杰 ,  林峰 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/266

Abstract: 一种场效应晶体管的制作方法，多晶硅层形成后，光刻和刻蚀多晶硅层以形成源端区域，然后保留光刻胶，与衬底结构表面呈70°～80°的注入角度进行杂质注入。因为杂质注入有一定的注入角度，源端区域边缘的多晶硅层和栅氧化层有一部份区域会被杂质注入射穿，并注入到衬底结构内部，由此可以形成一个稳定的、极小的沟道。从而，在不增加光刻版以及不降低BV的情况下，极大的减小沟道长度，使得Rdson比传统制造技术的Rdson大大降低。