公开(公告)号：CN102737970B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110081949.5

申请日：2011-04-01

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  陈正培 ,  杨育明 ,  黄竹

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及其栅介质层制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括埋层、外延层、有源区；以具有下沉区图案的光刻胶层为掩膜，在所述基底表面内形成下沉区，所述下沉区与所述基底的其它区域具有不同的掺杂状态；采用湿氧工艺在基底表面上形成介质氧化层，所述介质氧化层覆盖于下沉区的部分为电容介质层，覆盖于有源区的部分为栅介质层。本发明利用在杂质浓度不同的区域，热氧化速度也不同的原理，使形成的覆盖于下沉区的电容介质层厚度大于栅介质层的厚度，从而减少了一次定义栅介质层区域的光刻过程，进而简化了工艺流程，降低了工艺成本，工艺复杂度降低了，器件的生产速度必然得到了提高。

公开(公告)号：CN102737970A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110081949.5

申请日：2011-04-01

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  陈正培 ,  杨育明 ,  黄竹

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及其栅介质层制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括埋层、外延层、有源区；以具有下沉区图案的光刻胶层为掩膜，在所述基底表面内形成下沉区，所述下沉区与所述基底的其它区域具有不同的掺杂状态；采用湿氧工艺在基底表面上形成介质氧化层，所述介质氧化层覆盖于下沉区的部分为电容介质层，覆盖于有源区的部分为栅介质层。本发明利用在杂质浓度不同的区域，热氧化速度也不同的原理，使形成的覆盖于下沉区的电容介质层厚度大于栅介质层的厚度，从而减少了一次定义栅介质层区域的光刻过程，进而简化了工艺流程，降低了工艺成本，工艺复杂度降低了，器件的生产速度必然得到了提高。

公开(公告)号：CN102820332A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110151714.9

申请日：2011-06-08

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  陈正培 ,  杨育明 ,  黄竹

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种与MOS管集成的垂直型双极结型晶体管及其制备方法，属于双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）技术领域。该垂直型BJT中，其中所述MOS管和所述垂直型BJT形成于衬底的外延层上，所述垂直型BJT包括由上至下依次设置的发射区、基区、集电区以及第一埋层，其中，所述集电区和所述第一埋层通过所述衬底中的初始埋层向外延层扩散而一体化地形成。该垂直型BJT性能好，其制备方法过程简单、制备成本低、工艺周期短。

公开(公告)号：CN102820332B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201110151714.9

申请日：2011-06-08

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  陈正培 ,  杨育明 ,  黄竹

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种与MOS管集成的垂直型双极结型晶体管及其制备方法，属于双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）技术领域。该垂直型BJT中，其中所述MOS管和所述垂直型BJT形成于衬底的外延层上，所述垂直型BJT包括由上至下依次设置的发射区、基区、集电区以及第一埋层，其中，所述集电区和所述第一埋层通过所述衬底中的初始埋层向外延层扩散而一体化地形成。该垂直型BJT性能好，其制备方法过程简单、制备成本低、工艺周期短。