公开(公告)号：CN103390647A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210142749.0

申请日：2012-05-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 章舒 ,  何延强 ,  罗泽煌 ,  吴孝嘉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/07 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件结构，包括多个LDMOS基本单元和多个焊接垫；所述多个LDMOS基本单元并联，并与所述多个焊接垫通过金属电连接，以引出所述多个LDMOS基本单元的栅端、源端、漏端及衬底；其中，所述多个焊接垫正下方设有LDMOS基本单元；所述多个焊接垫包括厚度为3.5um至4.5um、线宽为1.5um至2.5um的单层金属。本发明将功率MOS器件中焊接垫以下的芯片面积充分利用，在不增加芯片总面积的前提下，增加了并联LDMOS基本单元的数量，可有效降低导通电阻。

公开(公告)号：CN102593040A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210075340.1

申请日：2012-03-21

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  章舒 ,  许剑 ,  何延强 ,  何敏

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76202

Abstract: 本发明公开了一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，该方法在下层芯片结构上制作衬垫；在所述衬垫上定义第一种厚度氧化层区域，并在所述第一种厚度氧化层区域开口，进行第一次氧化生长；然后，定义第二种厚度氧化层区域，并开口，进行第二次氧化生长，从而形成不同厚度的氧化层；最后去除衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作。该LOCOS多层氧化层的集成制作方法采用LOCOS工艺，通过对多层氧化层的工艺进行集成，可以优化多层氧化层厚度比例和湿法回刻，解决了多种厚度的氧化层同时存在时的鸟嘴问题，实现了更低的成本和更短的制作周期。

公开(公告)号：CN103187279B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110451716.X

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  罗泽煌 ,  陈正培 ,  章舒 ,  何延强

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中LDMOS漂移区氧化层边缘硅容易裸露导致LDMOS器件击穿的问题。本发明实施例提供的方案为：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。本发明实施例适用于BCD工艺等。

公开(公告)号：CN102593040B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210075340.1

申请日：2012-03-21

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  章舒 ,  许剑 ,  何延强 ,  何敏

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76202

Abstract: 本发明公开了一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，该方法在下层芯片结构上制作衬垫；在所述衬垫上定义第一种厚度氧化层区域，并在所述第一种厚度氧化层区域开口，进行第一次氧化生长；然后，定义第二种厚度氧化层区域，并开口，进行第二次氧化生长，从而形成不同厚度的氧化层；最后去除衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作。该LOCOS多层氧化层的集成制作方法采用LOCOS工艺，通过对多层氧化层的工艺进行集成，可以优化多层氧化层厚度比例和湿法回刻，解决了多种厚度的氧化层同时存在时的鸟嘴问题，实现了更低的成本和更短的制作周期。

公开(公告)号：CN103187279A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110451716.X

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  罗泽煌 ,  陈正培 ,  章舒 ,  何延强

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中LDMOS漂移区氧化层边缘硅容易裸露导致LDMOS器件击穿的问题。本发明实施例提供的方案为：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。本发明实施例适用于BCD工艺等。