公开(公告)号：CN103424998B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210159883.1

申请日：2012-05-21

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 章安娜 ,  李晓明 ,  贺亦峰 ,  许凌燕

IPC: G03F7/42 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶。本发明首先在Pin up对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于Pin up状态反应相对不剧烈，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。

公开(公告)号：CN103424998A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210159883.1

申请日：2012-05-21

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 章安娜 ,  李晓明 ,  贺亦峰 ,  许凌燕

IPC: G03F7/42 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶。本发明首先在Pin up对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于Pin up状态反应相对不剧烈，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。