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公开(公告)号：CN103424998A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210159883.1
申请日：2012-05-21
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶。本发明首先在Pin up对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于Pin up状态反应相对不剧烈，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。
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公开(公告)号：CN103208416A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310116218.9
申请日：2013-04-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 章安娜
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种空腔结构刻蚀后清洗和干燥的方法,其首先对刻蚀后的硅片进行硅屑漂洗工艺处理，漂洗工艺结束后将硅片放入普通的甩干机中，将甩干机的程序设置为：转速1000-1200r/min，工艺时间20-30min，整个工艺过程通入氮气，对硅片进行甩干处理。本发明的方法能够很好的解决特殊工艺中空腔结构清洗后圆片干燥的问题，工艺过程中圆片上空腔结构保存完整，为下步工艺提供可能，能够保证特殊工艺中具有空腔结构产品开发的顺利进行。
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公开(公告)号：CN103107080A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310011772.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L22/26 , H01L21/3065 , H01L21/6831
Abstract: 本发明公开了一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法，包括如下步骤：a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附，并稳定工艺所需要的气氛；b.进行圆片主工艺子步骤，所述主工艺子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间；c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附，并进行静电释放；d.判断之前进行的所有的所述主工艺子步骤的累积时间是否达到要求，如果判断结果为“是”，则进行步骤e，如果判断结果为“否”，则再次进行步骤a；e.圆片制造结束，进行圆片的传输。该刻蚀方法避免圆片持续与静电吸盘接触，减少了圆片表面静电积聚，从而解决了DSIE工艺中圆片表面糊胶和位置碎片的问题。
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公开(公告)号：CN104134611B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201310160533.1
申请日：2013-05-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 章安娜
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种硅释放工艺，通过干法深槽刻蚀设备实现，包括如下步骤：提供需要进行硅释放的器件，并在所述器件需要进行硅释放的位置覆盖掩模；在刻蚀气体的气氛下，对所述器件进行刻蚀工艺；在保护气体的气氛下，对所述器件进行沉积工艺；重复刻蚀工艺和沉积工艺，直至器件底部的硅完全释放干净，完成所述硅释放工艺。这种硅释放工艺采用干法深槽刻蚀设备来实现器件底部的硅的释放，相对于传统的采用湿法药液腐蚀来进行硅释放的方法，可控性高、作业周期短，产能较高。
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公开(公告)号：CN103107080B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310011772.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L22/26 , H01L21/3065 , H01L21/6831
Abstract: 本发明公开了一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法，包括如下步骤：a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附，并稳定工艺所需要的气氛；b.进行圆片主工艺子步骤，所述主工艺子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间；c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附，并进行静电释放；d.判断之前进行的所有的所述主工艺子步骤的累积时间是否达到要求，如果判断结果为“是”，则进行步骤e，如果判断结果为否”，则再次进行步骤a；e.圆片制造结束，进行圆片的传输。该刻蚀方法避免圆片持续与静电吸盘接触，减少了圆片表面静电积聚，从而解决了DSIE工艺中圆片表面糊胶和位置碎片的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103065943B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310008959.5
申请日：2013-01-10
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3083 , H01L22/20
Abstract: 本发明公开了一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法，包括：获取刻蚀关键尺寸差值；根据刻蚀位置距离晶圆中心位置的距离和所述刻蚀关键尺寸差值对晶圆刻蚀的掩蔽层版图进行补偿；按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀。本发明通过以关键尺寸差值的1/2作为补偿值对掩蔽层版图的刻蚀图案尺寸进行补偿，改善由于深沟槽刻蚀工艺中晶圆不同位置关键尺寸分布不均导致的刻蚀速率和刻蚀尺寸差异，大大提高了深沟槽刻蚀结构的关键尺寸均匀性。
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公开(公告)号：CN103208416B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310116218.9
申请日：2013-04-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 章安娜
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种空腔结构刻蚀后清洗和干燥的方法,其首先对刻蚀后的硅片进行硅屑漂洗工艺处理，漂洗工艺结束后将硅片放入普通的甩干机中，将甩干机的程序设置为：转速1000-1200r/min，工艺时间20-30min，整个工艺过程通入氮气，对硅片进行甩干处理。本发明的方法能够很好的解决特殊工艺中空腔结构清洗后圆片干燥的问题，工艺过程中圆片上空腔结构保存完整，为下步工艺提供可能，能够保证特殊工艺中具有空腔结构产品开发的顺利进行。
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公开(公告)号：CN104124134B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310149253.0
申请日：2013-04-25
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 章安娜
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种复合膜层的刻蚀方法，包括如下步骤：提供沉积有复合膜层的器件，所述复合膜层由第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层依次层叠形成且所述第二多晶硅层与所述器件直接接触；对所述第一多晶硅层进行表面预处理；在所述第一多晶硅层上涂覆光阻，接着对所述第一多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第一多晶硅层进行过刻蚀；对所述二氧化硅层进行主刻蚀，接着对所述二氧化硅层进行过刻蚀；对所述第二多晶硅层进行主刻蚀，接着对所述第二多晶硅层进行过刻蚀。这种复合膜层的刻蚀方法依次对第一多晶硅层、二氧化硅层和第二多晶硅层进行刻蚀，一次光刻后进行三次刻蚀，只需要使用一台多晶刻蚀机台，产能较高。
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公开(公告)号：CN103424998B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210159883.1
申请日：2012-05-21
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶。本发明首先在Pin up对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于Pin up状态反应相对不剧烈，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。
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公开(公告)号：CN104347391A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310348149.4
申请日：2013-08-09
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种深沟槽刻蚀设备及其方法，其包括提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口，在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口；将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方，使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出；对晶圆进行深槽刻蚀。本发明的方法能较好的解决静电夹盘设备深槽刻蚀工艺中晶圆表面边缘掉硅屑的问题，保证深沟槽刻蚀工艺过程中静电夹盘表面的干净；保证良好的设备状态，保证各种特殊工艺稳定开发。
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