公开(公告)号：CN103817589B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310574014.X

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 筱崎弘行

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/10 ,  B24B53/02

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B7/228 ,  B24B37/30

Abstract: 提供一种基板保持装置，具有：使保持基板的顶环（1）上下移动的上下移动机构（24）、检测通过上下移动机构（24）使顶环（1）下降时或者上升时的上下移动机构的扭矩的扭矩检测单元、以及控制部（40），所述控制部在垫检查时，预先将顶环（1）与研磨垫的表面接触时的所述上下移动机构（24）的扭矩设定为扭矩限制值，控制部（40）根据扭矩检测单元检测出的扭矩与预先设定的基准值算出扭矩补正量，采用该扭矩补正量对所述扭矩限制值进行补正。该基板保持装置检测上下地驱动顶环的机构的损失扭矩的经时变化量，采用该损失扭矩的经时变化量对作为垫检查时的基准的扭矩限制值进行补正，从而能够在垫检查时准确地把握研磨垫的表面的高度。

公开(公告)号：CN106737176A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611255893.X

申请日：2016-12-30

Applicant: 苏州纳维科技有限公司

Inventor： 徐俞 ,  王建峰 ,  徐科

IPC: B24B41/06 ,  B24B49/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: B24B41/06 ,  B24B7/228 ,  B24B49/00

Abstract: 本申请公开了一种晶体参考面加工用X射线定向夹具和定向方法，该晶体参考面加工用X射线定向夹具，包括：可控倾斜台，具有一支撑面，该支撑面相对水平面的倾斜角度可调；夹具底板，固定于所述支撑面上；夹具顶板，与所述夹具底板上下设置，该夹具顶板与夹具底板之间可拆卸固定，所述夹具顶板和夹具底板之间形成一晶体固定槽，所述夹具顶板上开设有与所述晶体固定槽连通的开口，该开口的大小满足：晶体固定后其参考面位于所述夹具顶板的上方。通过本发明装置可以实现参考面相对另外2个方向晶面加工后精度控制在2’以内。

公开(公告)号：CN106493617A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611064530.8

申请日：2016-11-28

Applicant: 北京中电科电子装备有限公司

Inventor： 贾月明 ,  王明权 ,  杨宽 ,  李战伟 ,  李雪

IPC: B24B7/22 ,  B24B55/03 ,  H01L21/67

CPC classification number: B24B55/03 ,  B24B7/228 ,  H01L21/67126

Abstract: 本发明实施例提供了一种中心通冷却液冷却的电主轴及减薄机，其中，电主轴的转轴上布置有第一冷却液通道，用于输入冷却液以及控制所述冷却液的流向；同时电主轴的转轴上端外周设置有气体密封及溢流通道，用于防止异常状况下冷却液从第一冷却液通道上端溢出时进入电机转子及其相邻零部件，本发明的方案能够在减薄机工作时对电主轴进行可靠有效冷却。

公开(公告)号：CN103597578B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280025841.7

申请日：2012-05-23

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： S·R·马卡姆 ,  W·P·托马斯三世

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C03B33/02 ,  B24B1/00 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  C03B17/064 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y02P40/57 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24628

Abstract: 本文描述非抛光玻璃晶片、使用非抛光玻璃晶片减薄半导体晶片的减薄系统和方法。在一个实施例中，玻璃晶片具有主体（例如圆形主体），包括基本上彼此平行的非抛光的第一表面和非抛光的第二表面。此外，圆形主体具有等于以微米为单位的总厚度变化加上以微米为单位的弯曲的十分之一的晶片质量指标，该晶片质量指标小于6.0。

公开(公告)号：CN106425787A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610783709.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 天通银厦新材料有限公司

Inventor： 徐金鑫 ,  常慧 ,  王国强 ,  朱泾伟 ,  周利斌 ,  程佳宝 ,  滕斌

IPC: B24B27/00 ,  B24B7/22 ,  B24B29/02 ,  B24B41/06 ,  B24B55/04 ,  B24B55/06 ,  B24B47/14 ,  B08B1/00 ,  B08B1/04 ,  B08B3/02 ,  B08B5/04

CPC classification number: B24B27/0076 ,  B08B1/002 ,  B08B1/04 ,  B08B3/02 ,  B08B5/04 ,  B24B7/228 ,  B24B29/02 ,  B24B41/06 ,  B24B47/14 ,  B24B55/04 ,  B24B55/06

Abstract: 本发明涉及晶体加工技术领域，尤其是一种蓝宝石打磨磨光一体装置，包括箱体和贯穿于箱体两侧的托盘，所述箱体上分别设有用于托盘移动的滑轨和驱动托盘的驱动装置，通过高压气泵使空腔内形成负压，从而通过通孔将蓝宝石晶体片吸附在托盘上，打磨砂轮在与蓝宝石晶体片进行打磨工作时所产生的细小粉末通过打磨砂轮高速旋转而进入集污槽，防止其粉末散落在蓝宝石晶体片上而对打磨工作造成影响，集污槽内收集的粉末颗粒通过吸尘管和吸尘装置排出，通过转动的毛刷对粉末颗粒进行再次的清理，可避免抛光砂轮与粉末颗粒的接触，喷管和毛刷对蓝宝石晶体片和托盘进行清洗工作，吸尘头用于吸附蓝宝石晶体片和托盘上的水和污物。

公开(公告)号：CN106041660A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610405905.6

申请日：2016-06-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 秦飞 ,  孙敬龙 ,  陈沛 ,  安彤

IPC: B24B7/22

CPC classification number: B24B7/228

Abstract: 一种硅晶圆多步变参数粗磨削方法，属于硅晶圆磨削加工领域。本发明包括下列步骤：将磨削力产生分为两个机制：摩擦作用力和切屑形成作用力；根据赫兹接触理论和切屑形成理论建立了磨削力模型Fnt；实验测量了9种磨削工艺下硅晶圆的亚表面裂纹深度h，将裂纹深度与总的磨削力Fnt的三分之二次幂进行线性拟合，得到裂纹深度的预测模型h＝0.223(Fnt)2/3+8.57。根据裂纹深度预测值，提出了硅晶圆多步变参数粗磨削方法。此方法可保证磨削效率和提高硅晶圆的磨削质量，同时降低时间和成本消耗。

公开(公告)号：CN103094145B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210027870.9

申请日：2012-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  洪瑞斌 ,  林俊成 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B7/228 ,  B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  H01L22/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于实施研磨的方法包括：选择用于晶圆研磨工艺的目标轮载荷；以及对晶圆实施研磨工艺。随着研磨工艺的进行，测量研磨工艺的轮载荷。在达到目标轮载荷之后停止研磨工艺。该方法可选地包括：选择晶圆研磨工艺的目标反射率；以及对晶圆实施研磨工艺。随着研磨工艺的进行，测量从晶圆表面反射的光的反射率。在一个反射率达到目标反射率之后停止研磨工艺。本发明还提供了一种研磨中的终点检测。

公开(公告)号：CN105304561A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510314409.5

申请日：2015-06-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 中村胜 ,  万德公丈

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/78 ,  B24B7/228 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 提供晶片的加工方法，使安装在沿分割预定线分割或沿分割预定线形成断裂起点的晶片背面的芯片结合用粘合膜沿一个个分割的半导体器件芯片断裂，防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件芯片的正面。对在正面格子状地形成多条分割预定线并在由多条分割预定线划分的多个区域形成器件芯片的晶片进行加工的方法包含：晶片支承工序，将粘合膜安装于沿分割预定线分割或沿分割预定线形成断裂起点的晶片背面并在粘合膜侧粘贴划片带，通过环状框架支承划片带的外周部；粘合膜断裂工序，扩展划片带使粘合膜沿一个个器件芯片断裂，在粘合膜断裂工序前实施保护膜形成工序，对晶片正面和/或从晶片外周缘伸出的粘合膜的外周部覆盖水溶性树脂形成保护膜。

公开(公告)号：CN104972229A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510154599.9

申请日：2015-04-02

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 能丸圭司

IPC: B23K26/70 ,  B24B7/22

CPC classification number: G01B11/306 ,  G01N21/9501 ,  B24B7/228 ,  B23K2101/40

Abstract: 本发明提供凹凸检测装置，其具有：脉冲点亮光源，其发出具有规定的波段的光；第1集束透镜，其对由脉冲点亮光源发出的光进行集束；半透半反镜，其使由第1集束透镜集束的光分支；色差透镜，其会聚分支后的光并对被加工物照射；第1聚光透镜，其会聚被被加工物反射并通过了色差透镜和半透半反镜的返回光；掩模，其配置于第1聚光透镜的聚光点位置上，且仅使被会聚的返回光通过；第2集束透镜，其对返回光进行集束；衍射光栅，其对应于返回光的波长进行分光；第2聚光透镜，其会聚被衍射光栅分光的返回光；摄像元件，其配设于第2聚光透镜的聚光点位置处；控制构件，其存储由摄像元件生成的图像；以及输出构件，其显示存储于控制构件的存储器中的图像。

公开(公告)号：CN104772691A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510012026.2

申请日：2015-01-09

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  丸山徹 ,  作川卓

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B7/228 ,  B24B37/30 ,  B24B49/08 ,  Y10T137/7761

Abstract: 本发明提供一种压力控制装置，能够提高压力的稳定性及相对于输入信号的响应性这两方面。从压力指令值产生变化的时刻(t1)至PID控制开始点(t3)，PID控制部(5)停止补正指令值的生成，PID控制开始点(t3)后，PID控制部(5)生成补正指令值。从压力指令值产生变化的时刻(t1)至PID控制开始点(t3)，调节器控制部(8)对压力调整阀(6)的动作进行控制，以消除压力指令值与第1压力值之差，PID控制开始点(t3)后，调节器控制部(8)对压力调整阀(6)的动作进行控制，以消除补正指令值与第1压力值之差。