Invention Publication
CN105304561A 晶片的加工方法
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- Patent Title: 晶片的加工方法
- Patent Title (English): Wafer processing method
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Application No.: CN201510314409.5Application Date: 2015-06-10
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Publication No.: CN105304561APublication Date: 2016-02-03
- Inventor: 中村胜 , 万德公丈
- Applicant: 株式会社迪思科
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社迪思科
- Current Assignee: 株式会社迪思科
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
- Agent 李辉; 黄纶伟
- Priority: 2014-121256 2014.06.12 JP
- Main IPC: H01L21/78
- IPC: H01L21/78 ; H01L21/683

Abstract:
提供晶片的加工方法,使安装在沿分割预定线分割或沿分割预定线形成断裂起点的晶片背面的芯片结合用粘合膜沿一个个分割的半导体器件芯片断裂,防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件芯片的正面。对在正面格子状地形成多条分割预定线并在由多条分割预定线划分的多个区域形成器件芯片的晶片进行加工的方法包含:晶片支承工序,将粘合膜安装于沿分割预定线分割或沿分割预定线形成断裂起点的晶片背面并在粘合膜侧粘贴划片带,通过环状框架支承划片带的外周部;粘合膜断裂工序,扩展划片带使粘合膜沿一个个器件芯片断裂,在粘合膜断裂工序前实施保护膜形成工序,对晶片正面和/或从晶片外周缘伸出的粘合膜的外周部覆盖水溶性树脂形成保护膜。
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