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公开(公告)号：CN116429573A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310403795.X
申请日：2023-04-17
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开一种焊接型IGBT模块键合线拉力测试装置及方法，拉力测试装置包括联轴器，上下两个联轴器分别用销轴安装在微拉伸机的控制器和载荷传感器上；金属拉线钩螺纹连接在上联轴器上；燕尾槽夹具，可调节IGBT模块DBC基板在横向上移动；传动装置，可调节燕尾槽夹具在纵向上移动；夹具底座，用于放置传动装置，用螺钉连接在下联轴器上；本发明可在微拉伸机上实现横向与纵向移动，并且用螺母预紧使其具有定位功能；金属拉线钩采用螺纹连接的方式可随时拆卸更换，可以用来测量不同直径的引线拉力载荷，测试过程中随着金属拉线钩的上升，微拉伸机载荷传感器可输出其载荷‑位移变化曲线，实现测量功率循环后键合线的键合强度的目的。
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公开(公告)号：CN110297006B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910268919.1
申请日：2019-04-04
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01N1/32 , G01N1/28
摘要： 本发明公开了一种用于观测IGBT芯片Al金属化内晶粒晶向的试样制备方法，其包括以下步骤：去除大功率IGBT模块的外封装；去除模块底板；去除试样表面的硅胶；采用慢速锯物理切割试样；采用金相磨抛机打磨试样；采用聚焦离子束加工试样；采用电子背散射衍射技术观测试样。本发明的优点在于可以制备用于观测大功率IGBT芯片Al金属化层剖面晶粒晶体取向的试样，制备方法简单可行，能够对大功率IGBT芯片Al金属化层剖面晶粒进行晶体取向观测。
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公开(公告)号：CN109443295B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811263261.7
申请日：2018-10-28
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种用于汽车级IGBT芯片表面Al金属化层粗糙度的测试方法。包括下列步骤：去除IGBT模块外部的塑封料和连接端子，IGBT模块下部的铜底板和陶瓷基板；去除IGBT芯片表面的Al键合线，形成IGBT芯片和Al金属化层两层材料的试样；利用切割机的定位和切割功能将试样切成尺寸为12mm×12mm大小的方形试样；通过粗细砂纸对方形试样的边缘位置磨抛；取磨抛后的试样进行超声波清洗，取出样块待其自然干燥；然后将试样放置于定位装置的内部，通过定位装置上定位杆和定位滑块的配合，在定位框架允许运动范围内的任意位置实现精准定位，定位滑块的圆孔下方即为测试位置。移动AFM的探针使其对准定位滑块的圆孔，之后测试圆孔下方Al金属化层的粗糙度。
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公开(公告)号：CN109093454B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811194808.2
申请日：2018-10-15
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明提供了一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该方法包括确定晶圆磨削参数，计算单颗磨粒切削深度的建立，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系，将单颗磨粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系，亚表面损伤深度快速评估。利用本发明提供的亚表面损伤深度快速评估方法，可以在磨削设计阶段针对不同磨削参数(磨轮目数、主轴进给速率、主轴转速、晶圆转速)硅晶圆亚表面损伤深度进行预测，提高晶圆磨削质量，降低晶圆磨削成本。
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公开(公告)号：CN110838480A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911090620.8
申请日：2019-11-09
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50
摘要： 本发明公开了一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法，由碳化硅MOSFET芯片，上DBC基板，下DBC基板，陶瓷转接板，氧化硅介电填充层，纳米银焊膏，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片和下DBC基板连接。同时在陶瓷转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将碳化硅MOSFET芯片嵌入在陶瓷转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，陶瓷转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出。该发明可以实现碳化硅MOSFET模块的高温封装，而且可以实现双面散热，提高了散热效率。采用平面互连的方式取代引线键合，减小了模块的寄生电感。
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公开(公告)号：CN109093454A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811194808.2
申请日：2018-10-15
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明提供了一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该方法包括确定晶圆磨削参数，计算单颗磨粒切削深度的建立，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系，将单颗磨粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系，亚表面损伤深度快速评估。利用本发明提供的亚表面损伤深度快速评估方法，可以在磨削设计阶段针对不同磨削参数(磨轮目数、主轴进给速率、主轴转速、晶圆转速)硅晶圆亚表面损伤深度进行预测，提高晶圆磨削质量，降低晶圆磨削成本。
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公开(公告)号：CN104992921B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510420092.3
申请日：2015-07-16
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种大尺寸超薄晶圆的夹持装置涉及半导体制造设备技术领域。其结构简单，操作方便。包括设备支撑底座、吸盘部分、提手部分和电机驱动部分。其特征在于：所述支撑底座位于吸盘边缘且可进行旋转；所述吸盘由二个腔室组成，腔室之间通过可旋转轻质阀门隔开，两侧腔室侧壁各设进气阀门，吸盘上吸附结构由吸孔、凹槽和填充物质构成，吸盘底安置真空发生器；所述提手部分由提手臂和把手构成，提手臂与吸盘底部通过禁锢螺钉连接，把手与提手臂焊接连接；所述电机位于把手形成的空腔内部并由支撑臂支撑。可实现对超薄晶圆的拾取与传输，降低晶圆破片率。
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公开(公告)号：CN105655311A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610003461.3
申请日：2016-01-02
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L24/09 , H01L24/03 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/02373
摘要： 晶圆级芯片封装背面互连结构及其制作方法，属于半导体封装领域。封装方法包含以下步骤：步骤1，提供制作有功能区，焊盘，介质层的晶圆；步骤2，提供盖板，利用键合胶将盖板与晶圆键合在一起；步骤3，对晶圆基底下表面进行硅刻蚀，将晶圆基底下表面上属于切割道区域的硅，以及焊盘上的硅进行去除，形成第一槽体以及第二槽体；步骤4，制作重分布层，在晶圆基底下表面制作重分布层；步骤5，对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。本发明减小了多材料对切割工艺造成的挑战，改善切割工艺的良率，并提高了封装的可靠性；并且使焊盘周围的应力得到释放，减小了由于不同材料热失配产生的应力，改善了不同材料界面处的分层、裂纹等失效。
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公开(公告)号：CN105448946A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610002545.5
申请日：2016-01-02
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/14683
摘要： 一种影像传感芯片封装结构及其制作方法属于半导体封装领域。所述封装结构包含：影像传感芯片和透明基板，影像传感芯片通过芯片微凸点与透明基板实现互连。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的铜微凸点取代高分子材料连接影像传感芯片与玻璃盖板，克服了高分子支撑墙厚度均一性差的缺点，减小了热膨胀系数差异引起的热应力，改善了结构中的分层、裂纹等问题。铜微凸点的高度可以根据实际需要进行调整，从而满足影像传感芯片对玻璃盖板与芯片感光区之间的距离要求。影像传感芯片感光区的信号直接通过感光区一侧的铜微凸点进行传递，信号传递距离较短，改善了信号延迟问题。
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公开(公告)号：CN105070732A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510420471.2
申请日：2015-07-16
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 高像素影像传感器封装结构及其制作方法，所述封装结构包含：分别带有阶梯状收容结构的盖板和支撑盖板，一透明盖板及一带有重布线的晶圆。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的硅或硅基材料作为支撑盖板代替原本的高分子材料的支撑围堰层，解决了高分子聚合物支撑围堰层形成后的均一性差、与接触材料的结合力差等问题，可以减小由于热膨胀系数差异产生的热应力，改善结构中的分层、裂纹等失效。同时，该支撑盖板的高度可以根据实际需求设定，而不局限于几十微米，满足高像素图像传感器对透光盖板与影像传感区间的距离要求。
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