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公开(公告)号：CN105070732B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510420471.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 高像素影像传感器封装结构及其制作方法，所述封装结构包含：分别带有阶梯状收容结构的盖板和支撑盖板，一透明盖板及一带有重布线的晶圆。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的硅或硅基材料作为支撑盖板代替原本的高分子材料的支撑围堰层，解决了高分子聚合物支撑围堰层形成后的均一性差、与接触材料的结合力差等问题，可以减小由于热膨胀系数差异产生的热应力，改善结构中的分层、裂纹等失效。同时，该支撑盖板的高度可以根据实际需求设定，而不局限于几十微米，满足高像素图像传感器对透光盖板与影像传感区间的距离要求。
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公开(公告)号：CN105070665A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510420500.5
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L21/4853 , H01L21/78
Abstract: 一种晶圆级芯片尺寸封装工艺，其封装工艺流程如下，在晶圆的切割道处进行预切割，切割的深度大于或等于芯片厚度；在该晶圆的背面进行研磨或者蚀刻减薄到芯片厚度，研磨后晶圆分割成单个芯片。该晶圆级薄片封装工艺，采用先完成线路引出，再预切割，最后研磨的工艺，此工艺避免了晶圆裂片，因此可以将晶圆的封装厚度大大降低，而不影响产品良率。
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公开(公告)号：CN117766973A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410019956.X
申请日：2024-01-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于有源相控阵天线散热的微流道散热器。该基于有源相控阵天线散热的微流道散热器，液体盛放箱体，所述液体盛放箱体的上表面固定连接有转动球。该基于有源相控阵天线散热的微流道散热器，通过微流道散热器的液体盛放箱体和换热管道结构有助于有效地散热，使得能够快速冷却热源，防止过热，包括温度传感器，可实时监测温度变化，以确保热源保持在合适的工作温度范围内，上侧分隔板、中间分隔板和下侧分隔板的设置有助于将液体分隔开，以改善热传导和温度均匀性，外侧圆形分流用转动环和内部分离网帮助将液体均匀地甩出，提高了散热效果，并通过在使用过程中关闭阀门，增加打开的阀门对应管道内部水压。
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公开(公告)号：CN105655311A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610003461.3
申请日：2016-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/09 , H01L24/03 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/02373
Abstract: 晶圆级芯片封装背面互连结构及其制作方法，属于半导体封装领域。封装方法包含以下步骤：步骤1，提供制作有功能区，焊盘，介质层的晶圆；步骤2，提供盖板，利用键合胶将盖板与晶圆键合在一起；步骤3，对晶圆基底下表面进行硅刻蚀，将晶圆基底下表面上属于切割道区域的硅，以及焊盘上的硅进行去除，形成第一槽体以及第二槽体；步骤4，制作重分布层，在晶圆基底下表面制作重分布层；步骤5，对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。本发明减小了多材料对切割工艺造成的挑战，改善切割工艺的良率，并提高了封装的可靠性；并且使焊盘周围的应力得到释放，减小了由于不同材料热失配产生的应力，改善了不同材料界面处的分层、裂纹等失效。
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公开(公告)号：CN105448946A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610002545.5
申请日：2016-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14683
Abstract: 一种影像传感芯片封装结构及其制作方法属于半导体封装领域。所述封装结构包含：影像传感芯片和透明基板，影像传感芯片通过芯片微凸点与透明基板实现互连。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的铜微凸点取代高分子材料连接影像传感芯片与玻璃盖板，克服了高分子支撑墙厚度均一性差的缺点，减小了热膨胀系数差异引起的热应力，改善了结构中的分层、裂纹等问题。铜微凸点的高度可以根据实际需要进行调整，从而满足影像传感芯片对玻璃盖板与芯片感光区之间的距离要求。影像传感芯片感光区的信号直接通过感光区一侧的铜微凸点进行传递，信号传递距离较短，改善了信号延迟问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070732A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510420471.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 高像素影像传感器封装结构及其制作方法，所述封装结构包含：分别带有阶梯状收容结构的盖板和支撑盖板，一透明盖板及一带有重布线的晶圆。本发明通过采用刚度较大、强度相对较高的硅或硅基材料作为支撑盖板代替原本的高分子材料的支撑围堰层，解决了高分子聚合物支撑围堰层形成后的均一性差、与接触材料的结合力差等问题，可以减小由于热膨胀系数差异产生的热应力，改善结构中的分层、裂纹等失效。同时，该支撑盖板的高度可以根据实际需求设定，而不局限于几十微米，满足高像素图像传感器对透光盖板与影像传感区间的距离要求。
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公开(公告)号：CN105097576B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510420460.4
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种高可靠性晶圆级焊锡微凸点制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用经过曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层和阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN105448829A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610003276.4
申请日：2016-01-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种晶圆级芯片封装体的制作方法属于半导体芯片封装领域。流程如下：A)提供一晶圆，功能面为正面。正面具有第一钝化层、若干焊盘，焊盘上形成有凸点下金属层；B)晶圆正面切割道位置处形成切割道第一开口C)第一开口内沉积一层第二钝化层；D)第二钝化层上涂覆第一光阻层，并在与焊盘区域对应处形成第一光阻层、第二开口；E)以第一光阻层为掩膜，暴露凸点下金属层；F)第二开口内凸点下金属层上沉积焊料层，G)去除第一光阻层；H)形成微凸点；I)晶圆背面减薄至芯片最终厚度，将晶圆分立为单颗芯片。本发明可避免薄晶圆机械切割时发生裂片，同时只需在芯片之间留出较窄的切割道，提高了晶圆的有效利用率，并阻绝外界环境的侵蚀。
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公开(公告)号：CN105140140A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510420462.3
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L24/94
Abstract: 一种新型晶圆级焊锡微凸点的制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明首先利用以曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层-阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN118168375A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410503589.0
申请日：2024-04-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种具有交叉流道的微通道换热器，涉及换热器设备领域。该具有交叉流道的微通道换热器，包括安装板，所述安装板的顶端两侧均固定设置有承重柱，两个所述承重柱的顶部分别卡接安装有第一水流筒和第二水流筒，所述第一水流筒和第二水流筒之间设置有偶数的多个散热板框，多个所述散热板框两两之间均设置有多个散热翼片。本发明两个水流筒呈反方向放置，使得整个微通道换热器有两个流向相反的冷却剂水流通道，从而使得冷却剂流体可以充分均匀地通过散热板框的两个交叉流道，从而可以有效地避免因为冷却剂流体因为前后的流程不一致导致每个散热板框的散热效果不一致从而导致换热不均匀的问题。
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