发明公开
CN105655311A 晶圆级芯片封装背面互连结构及其制作方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 晶圆级芯片封装背面互连结构及其制作方法
- 专利标题(英): Wafer-level chip package backside interconnection structure and manufacturing method thereof
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申请号: CN201610003461.3申请日: 2016-01-02
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公开(公告)号: CN105655311A公开(公告)日: 2016-06-08
- 发明人: 秦飞 , 史戈 , 别晓锐 , 安彤 , 肖智轶
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 刘萍
- 主分类号: H01L23/485
- IPC分类号: H01L23/485 ; H01L21/60
摘要:
晶圆级芯片封装背面互连结构及其制作方法,属于半导体封装领域。封装方法包含以下步骤:步骤1,提供制作有功能区,焊盘,介质层的晶圆;步骤2,提供盖板,利用键合胶将盖板与晶圆键合在一起;步骤3,对晶圆基底下表面进行硅刻蚀,将晶圆基底下表面上属于切割道区域的硅,以及焊盘上的硅进行去除,形成第一槽体以及第二槽体;步骤4,制作重分布层,在晶圆基底下表面制作重分布层;步骤5,对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。本发明减小了多材料对切割工艺造成的挑战,改善切割工艺的良率,并提高了封装的可靠性;并且使焊盘周围的应力得到释放,减小了由于不同材料热失配产生的应力,改善了不同材料界面处的分层、裂纹等失效。
IPC分类: