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公开(公告)号：CN114152863A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111426713.0
申请日：2021-11-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种智能可控温的GaN功率循环实验装置，该装置的主要功能是准确预测GaN芯片的使用寿命及其失效模式，并缩短实验时间，加快实验进程。通过箱体门上菜单键设置程序控制该装置加热冷却所需时间及循环次数，通过环境加热器为该装置内部提供恒定的环境温度，从而保证芯片功率测试在恒温环境下进行，通过芯片加热器来模拟GaN芯片工作时自身所产生的热量，通过冷却水箱来加速模拟GaN芯片冷却过程，从而完成一次功率循环，如此反复，实现芯片的功率循环测试，通过箱体门上显示屏观察装置内环境温度及芯片实时温度，通过箱体门上玻璃观察整个测试过程。
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公开(公告)号：CN113960446A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111178666.2
申请日：2021-10-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种可控温的SiC芯片功率循环实验装置，包括：箱体、承载台、环境加热器、冷却水箱、硅脂、SiC芯片、Al2O3绝缘层、芯片加热器和热电偶。该装置通过环境加热器提供箱体内部的环境温度，通过芯片加热器来模拟SiC芯片工作时自身所产生的热量，之后通过冷却水箱来加速SiC芯片冷却，完成一次功率循环。通过稳压电源给环境加热器和芯片加热器提供稳定的电源，通过控制电脑控制该装置的循环次数及循环时间，从而达到加速实验的目的。
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公开(公告)号：CN111627947A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010472471.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种CIS芯片的扇出型封装制作方法，该方法利用玻璃基体的透光特性，将CIS芯片倒置嵌入到带槽的玻璃基体中，对CIS芯片的正面和侧面进行包封，然后通过TSV工艺将导电结构引到包封侧壁玻璃基体上，实现扇出封装。本发明先将CIS芯片倒置嵌入玻璃基板上再进行面板级封装，增加了封装的可操作性，封装工艺过程简单，可靠性高。面板级封装的过程结合了晶圆级封装金属布线线宽，线间距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量，明显提高了封装质量和效率，大大降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN119952311A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510381364.7
申请日：2025-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/382 , B23K26/146 , B23K26/064 , B23K26/70 , B23K26/03
Abstract: 本发明公开一种基于激光诱导微射流的微通孔一步制造装置及方法，涉及激光精密加工技术领域，包括：激光加工组件，其激光输出端与试样的待加工区域对应；旁轴水射流机构，用于在待加工区域的表面形成均匀水膜，当激光加工组件向待加工区域发射激光束时，待加工区域形成环形孔，水膜在环形孔内的激光焦点处形成激光诱导微射流。基于激光诱导微射流具有高速高压稳定的特性，将微通孔加工过程中的悬浮气泡、碎屑等烧蚀产物实时排出，避免了孔洞侧壁及入口存在的重铸层、微裂纹等缺陷，提高了微通孔加工质量、激光能量利用率以及加工效率，实现了激光法一步高效、高质量加工脆硬材料微通孔的技术效果。
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公开(公告)号：CN113960446B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111178666.2
申请日：2021-10-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种可控温的SiC芯片功率循环实验装置，包括：箱体、承载台、环境加热器、冷却水箱、硅脂、SiC芯片、Al2O3绝缘层、芯片加热器和热电偶。该装置通过环境加热器提供箱体内部的环境温度，通过芯片加热器来模拟SiC芯片工作时自身所产生的热量，之后通过冷却水箱来加速SiC芯片冷却，完成一次功率循环。通过稳压电源给环境加热器和芯片加热器提供稳定的电源，通过控制电脑控制该装置的循环次数及循环时间，从而达到加速实验的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110854103B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201911090622.7
申请日：2019-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/538 , H01L25/18 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法，由IGBT功率芯片，二极管芯片，上DBC基板，下DBC基板，中间转接板，介电填充层，焊料层，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过焊料层将IGBT功率芯片及二极管芯片和下DBC基板连接。同时在中间转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将IGBT功率芯片和二极管芯片嵌入在中间转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，中间转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出，得到嵌入式双面互连功率模块。该发明可以实现IGBT功率模块的双面散热，提高了散热效率。而且不使用键合线，减小了模块的寄生电感。
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公开(公告)号：CN109333360A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811194797.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B24B49/00
Abstract: 本发明提供了一种晶圆减薄磨削力在线测量装置及方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该磨削力测量装置包括半导体晶圆、工作台、承载台、薄膜压力传感器、数据处理与无线传输模块。磨削力的测试方法包含基于测试装置的传感器标定与磨削力在线测量。利用本发明提供的磨削力测量装置及方法，可以实时监测半导体晶圆磨削过程中的磨削力，对半导体的加工，降低磨削损伤具有重要意义。本发明具有如下特点：传感器采用薄膜压力传感器，响应时间短，测试精度高；数据的传输采用无线传输设计，能够在晶圆和主轴旋转过程中对磨削力进行实时监测，避免晶圆旋转绕线的风险；传感器采用分布式设计，能够监测磨削力沿晶圆径向，晶向的分布。
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公开(公告)号：CN117766973A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410019956.X
申请日：2024-01-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于有源相控阵天线散热的微流道散热器。该基于有源相控阵天线散热的微流道散热器，液体盛放箱体，所述液体盛放箱体的上表面固定连接有转动球。该基于有源相控阵天线散热的微流道散热器，通过微流道散热器的液体盛放箱体和换热管道结构有助于有效地散热，使得能够快速冷却热源，防止过热，包括温度传感器，可实时监测温度变化，以确保热源保持在合适的工作温度范围内，上侧分隔板、中间分隔板和下侧分隔板的设置有助于将液体分隔开，以改善热传导和温度均匀性，外侧圆形分流用转动环和内部分离网帮助将液体均匀地甩出，提高了散热效果，并通过在使用过程中关闭阀门，增加打开的阀门对应管道内部水压。
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公开(公告)号：CN109093454B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811194808.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种硅晶圆减薄亚表面损伤深度快速评估方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该方法包括确定晶圆磨削参数，计算单颗磨粒切削深度的建立，建立亚表面损伤深度与切削深度的关系，将单颗磨粒切削深度代入亚表面损伤深度与切削深度关系，得到磨削参数与亚表面损伤深度的关系，亚表面损伤深度快速评估。利用本发明提供的亚表面损伤深度快速评估方法，可以在磨削设计阶段针对不同磨削参数(磨轮目数、主轴进给速率、主轴转速、晶圆转速)硅晶圆亚表面损伤深度进行预测，提高晶圆磨削质量，降低晶圆磨削成本。
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公开(公告)号：CN110838480A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911090620.8
申请日：2019-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法，由碳化硅MOSFET芯片，上DBC基板，下DBC基板，陶瓷转接板，氧化硅介电填充层，纳米银焊膏，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过纳米银焊膏将碳化硅MOSFET芯片和下DBC基板连接。同时在陶瓷转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将碳化硅MOSFET芯片嵌入在陶瓷转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，陶瓷转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出。该发明可以实现碳化硅MOSFET模块的高温封装，而且可以实现双面散热，提高了散热效率。采用平面互连的方式取代引线键合，减小了模块的寄生电感。
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