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公开(公告)号：CN119935886A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510133380.4
申请日：2025-02-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京工业大学
IPC: G01N21/01 , G01N21/47 , G01N21/954
Abstract: 本发明涉及基于灰场边缘衍射的先进封装基板通孔检测装置及方法，装置，包括：光源、光束整形组件、上物镜5、下物镜7和电荷耦合器件8；所述光束整形组件包括上轴锥透镜2和下轴锥透镜3；所述光源产生的光束经所述光束整形组件将所述光束整形为环形光束，所述环形光束透过所述上物镜5将所述环形光束整形为球波面光束，所述球波面光束透过待检测基板通孔生成衍射光波，所述下物镜7将所述衍射光波进行放大处理，所述电荷耦合器件8接收所述放大处理的衍射光波，获取不同通孔深度的衍射图像。本发明能够检测成像平面内衍射图变化的细微变化。
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公开(公告)号：CN119757191A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510132194.9
申请日：2025-02-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高精度预制裂纹的单芯片BEOL层微观界面强度的测试方法，属于集成电路制造技术领域。用于测定单芯片BEOL层微观界面结合强度的试样的制备方法，包括以下步骤：将完成BEOL层工艺的晶圆进行减薄划片，得到单颗裸芯片；将制程合格BEOL层无缺陷的裸芯片切割，得到具有衬底硅片和BEOL层的裸芯片试片；将裸芯片试片的BEOL层与切割成相同尺寸的硅片通过胶水层粘附，然后在衬底硅片的底面预制裂纹，得到试样。测试方法包括：对试样进行四点弯曲试验，然后根据四点弯曲试验中的载荷位移曲线，计算分层界面的粘附能。本发明的测试方可以实现单芯片BEOL层界面结合强度的可靠、可重复测定。
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公开(公告)号：CN119952311A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510381364.7
申请日：2025-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/382 , B23K26/146 , B23K26/064 , B23K26/70 , B23K26/03
Abstract: 本发明公开一种基于激光诱导微射流的微通孔一步制造装置及方法，涉及激光精密加工技术领域，包括：激光加工组件，其激光输出端与试样的待加工区域对应；旁轴水射流机构，用于在待加工区域的表面形成均匀水膜，当激光加工组件向待加工区域发射激光束时，待加工区域形成环形孔，水膜在环形孔内的激光焦点处形成激光诱导微射流。基于激光诱导微射流具有高速高压稳定的特性，将微通孔加工过程中的悬浮气泡、碎屑等烧蚀产物实时排出，避免了孔洞侧壁及入口存在的重铸层、微裂纹等缺陷，提高了微通孔加工质量、激光能量利用率以及加工效率，实现了激光法一步高效、高质量加工脆硬材料微通孔的技术效果。
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公开(公告)号：CN110854103B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201911090622.7
申请日：2019-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/538 , H01L25/18 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法，由IGBT功率芯片，二极管芯片，上DBC基板，下DBC基板，中间转接板，介电填充层，焊料层，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过焊料层将IGBT功率芯片及二极管芯片和下DBC基板连接。同时在中间转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将IGBT功率芯片和二极管芯片嵌入在中间转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，中间转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出，得到嵌入式双面互连功率模块。该发明可以实现IGBT功率模块的双面散热，提高了散热效率。而且不使用键合线，减小了模块的寄生电感。
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公开(公告)号：CN109374419A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811122352.9
申请日：2018-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于可加热鼓泡法测试样力学性能的密封装置，通过该装置保证在鼓泡实验过程中可以变化实验温度，并且不会出现漏液现象，包括底座(101)、密封垫(102)、试样(103)、固定盖(104)、温度板(105)和保温棉(106)。通过该装置保证在鼓泡实验过程中可以测试不同温度下试样的力学性能，并且不会出现漏液泄压现象，该装置结构简单，操作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109333360A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811194797.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B24B49/00
Abstract: 本发明提供了一种晶圆减薄磨削力在线测量装置及方法，属于半导体晶圆材料超精密加工领域。该磨削力测量装置包括半导体晶圆、工作台、承载台、薄膜压力传感器、数据处理与无线传输模块。磨削力的测试方法包含基于测试装置的传感器标定与磨削力在线测量。利用本发明提供的磨削力测量装置及方法，可以实时监测半导体晶圆磨削过程中的磨削力，对半导体的加工，降低磨削损伤具有重要意义。本发明具有如下特点：传感器采用薄膜压力传感器，响应时间短，测试精度高；数据的传输采用无线传输设计，能够在晶圆和主轴旋转过程中对磨削力进行实时监测，避免晶圆旋转绕线的风险；传感器采用分布式设计，能够监测磨削力沿晶圆径向，晶向的分布。
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公开(公告)号：CN108061683A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711300716.3
申请日：2017-12-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于激光位移传感器测圆形窗口中心挠度的快速定位装置，用于激光位移传感器测圆形窗口中心挠度的快速定位，属于鼓泡法测薄膜试样力学性能试验技术领域。该装置包括试样平台(100)、胶带A(101a)、胶带B(101b)、胶带C(101c)、胶带D(101d)、试样(102)、定位柱(103)和标记头(104)。本发明可以实现激光位移传感器针对于圆形窗口试样中心的快速准确定位，该装置结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN105067168B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510420054.8
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种磨削晶圆亚表面残余应力测试方法，属于残余应力测试领域。其步骤包括：提供磨削晶圆；高压水清洗晶圆；固定晶圆；确定腐蚀位置，进行腐蚀，清洗；分别利用白光干涉仪和激光拉曼光谱对腐蚀深度、残余应力进行测试；重复以上实验步骤即可获得磨削晶圆亚表面残余应力值。本发明操作简单、可较准确获得磨削晶圆亚表面残余应力，通过对测试结果分析，可提出磨削工艺优化方案。
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公开(公告)号：CN105140146A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510418516.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 一种大尺寸磨削晶圆厚度在线测量方法，属于集成电路测试领域。将直铝片平铺在真空吸盘上，电容传感器沿铝片半径分布在铝片上方，电容检测装置通过屏蔽线与铝片和电容传感器相连接，形成回路系统，以检测电容量。然后，标定出电容传感器电极板与铝片之间的距离H。大尺寸硅晶圆传输到铝片上方，利用吸盘吸附。由于晶圆(电介质)的存在，电容量发生变化，随着晶圆表面材料不断被磨削砂轮去除，电容量不断变化，通过对电容量变化的监测并且建立电容量与晶圆厚度之间的关系，实现在线实时监测磨削过程晶圆厚度。本发明操作方便简单，无污染，可实现对磨削晶圆不同位置厚度的在线实时监测。
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公开(公告)号：CN104934356A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510420082.X
申请日：2015-07-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6838
Abstract: 一种大尺寸晶圆真空吸盘涉及半导体制造设备技术领域。其包括：吸持面、吸持面固定螺钉、上吸孔、下吸孔、吸盘、多孔物、开孔支撑垫、开孔支撑垫固定螺栓、气道接口、气道接口固定螺栓。吸持面与吸盘通过可拆卸螺钉连接，吸持面与吸盘之间有密封垫。上吸孔位于吸持面上表面，下吸孔位于吸持面下表面，上吸孔直径小于下吸孔。多孔物位于吸持面下方由开孔支撑垫支撑，开孔支撑垫由开孔支撑垫固定螺栓与吸盘底部固定。开孔支撑垫与吸盘底面形成空腔，吸盘底部中心区域设有气道接口。本发明可避免晶圆受力不均匀，防止吸盘堵塞。
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