公开(公告)号：CN109262447B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201710723477.6

申请日：2017-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  林俊成 ,  张文华

IPC: B24B37/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种安装在研磨轮上的研磨元件以及一种含有所述研磨元件的研磨轮用于进行研磨。所述研磨元件包括研磨齿，且所述研磨齿包含研磨材料，所述研磨材料具有框架结构以及分布在所述框架结构中的孔隙。所述框架结构包含粘合材料及由所述粘合材料粘合的磨料微粒。所述孔隙的孔径大于40微米但小于70微米。还提供一种使用所述研磨轮制造半导体封装的方法。

公开(公告)号：CN103117250A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210195021.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  洪瑞斌 ,  陈志壕 ,  苏峻兴 ,  茅一超 ,  叶宫辰 ,  蔡宜霖 ,  洪樱姿 ,  高金福 ,  许仕逸 ,  张进传 ,  刘献文 ,  李隆华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

公开(公告)号：CN110783207A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910661033.3

申请日：2019-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  卢思维

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: 提供封装结构及其形成方法。方法包含在承载基底上设置第一半导体晶粒，以及形成第一保护层以环绕第一半导体晶粒。方法也包含在第一保护层和第一半导体晶粒上形成介电层。方法还包含将介电层图案化以形成开口，此开口部分地暴露出第一半导体晶粒和第一保护层。此外，方法包含在形成前述的开口之后，将第二半导体晶粒接合至第一半导体晶粒。方法包含形成第二保护层以环绕第二半导体晶粒。

公开(公告)号：CN109262447A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201710723477.6

申请日：2017-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  林俊成 ,  张文华

IPC: B24B37/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种安装在研磨轮上的研磨元件以及一种含有所述研磨元件的研磨轮用于进行研磨。所述研磨元件包括研磨齿，且所述研磨齿包含研磨材料，所述研磨材料具有框架结构以及分布在所述框架结构中的孔隙。所述框架结构包含粘合材料及由所述粘合材料粘合的磨料微粒。所述孔隙的孔径大于40微米但小于70微米。还提供一种使用所述研磨轮制造半导体封装的方法。

公开(公告)号：CN103117250B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210195021.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  洪瑞斌 ,  陈志壕 ,  苏峻兴 ,  茅一超 ,  叶宫辰 ,  蔡宜霖 ,  洪樱姿 ,  高金福 ,  许仕逸 ,  张进传 ,  刘献文 ,  李隆华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

公开(公告)号：CN116110852A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210797222.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  蔡宗甫 ,  卢思维 ,  余振华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/528

Abstract: 实施例提供了预切割技术以在器件晶圆的前表面处切割平行开口，然后将器件晶圆翻转并且从器件晶圆的背侧完成切割以从晶圆分割管芯。组合的预切割技术和背侧切割技术在器件的侧表面中提供缩进。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN110838440A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201811276150.X

申请日：2018-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  卢思维

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 提供一种对衬底进行薄化的方法及系统。所述方法包括至少以下步骤。在卡盘与设置在所述卡盘上的衬底之间的界面处提供液体密封。在提供所述液体密封期间对所述衬底进行薄化。

公开(公告)号：CN106181748A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510811608.7

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏峻兴 ,  林俊成 ,  符策忠 ,  张文华 ,  茅一超

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24D13/14

CPC classification number: B24B37/107 ,  B24B37/34 ,  B24D13/145

Abstract: 本发明提供了具有长形齿布置的研磨轮设计。研磨轮包括基盘、和突出于基盘的表面之外的多个齿。多个齿对准围绕研磨轮的中心的长形环。

公开(公告)号：CN103187388B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210191944.2

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  洪瑞斌 ,  刘乃玮 ,  茅一超 ,  施婉婷 ,  董簪华

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/821 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了在半导体器件衬底上形成模塑料使晶圆级封装(WLP)中的扇出结构成为可能的机制。该机制包括覆盖包围接触焊盘的绝缘层的部分表面。该机制改善了封装件的可靠性和封装工艺的工艺控制。该机制还降低了界面分层的风险，以及在后续加工期间绝缘层的过度除气。该机制还改善了平坦化终点的确定。通过利用接触焊盘和绝缘层之间的保护层，可以降低铜的外扩散并且也可以改善接触焊盘和绝缘层之间的粘着性。本发明提供了封装的半导体器件及封装半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN111261536B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910917216.7

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  卢思维

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种用于检测研磨工艺的终点的设备，其包含连接器件、计时器以及控制器。连接器件连接到传感器，所述传感器周期性地感测包括至少两种类型的多个管芯的重建晶片的接口以产生厚度信号，所述厚度信号包括从重建晶片的绝缘层的表面到重建晶片的接口的厚度。计时器配置以产生具有带时间间隔的多个脉冲的时钟信号。控制器耦合到传感器和计时器，且配置以根据时钟信号对厚度信号进行滤波以输出在每一时间间隔内的厚度信号中的厚度当中的厚度极值，其中在滤波之后的厚度信号用以确定正对重建晶片执行的研磨工艺的终点。