公开(公告)号：CN100375288C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN02104596.8

申请日：2002-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山形裕和 ,  山崎舜平 ,  高山彻

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L51/524 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  Y10S438/976

Abstract: 提供一种高质量的发光器件，其具有长耐久的发光元件，该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题，并提供制造发光器件的方法。形成堤之后，用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面，以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者，在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理，用于表面修正。

公开(公告)号：CN1881568A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610103003.3

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTs由无定形硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1288710C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02148256.X

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/32 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/56

Abstract: 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

公开(公告)号：CN1735968A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108533.1

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  高山彻 ,  后藤裕吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/20 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1446 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。

公开(公告)号：CN1655038A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510008153.1

申请日：2000-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高山彻 ,  浜谷敏次

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。

公开(公告)号：CN1624866A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410086184.4

申请日：1994-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底11上形成的无定形硅膜12，进而在该无定形硅膜12上形成掩膜21，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)14滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器15进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。

公开(公告)号：CN1519933A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123558.0

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  新川悦子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/563 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。

公开(公告)号：CN1519929A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123922.3

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明通过使用转移技术，提供由薄膜形成的多个元件形成层集成的半导体芯片。本发明利用转移技术先暂时从衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并转移到其他衬底上，然后再从另一个衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并将其转移层叠到先前的元件形成层上，如此重复就可以实现常规三维组装的半导体芯片所没有实现的薄膜化，形成高集成化的半导体芯片。

公开(公告)号：CN1516234A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124240.4

申请日：2003-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/3025

Abstract: 一种分离方法，包括步骤：依此次序形成金属膜、第一氧化物和含有氢的半导体膜；将支撑物粘接到含有该第一氧化物和该半导体膜的释放层，并从提供有该金属层的衬底通过物理方法分离粘接到该支撑物的该释放层。在分离方法中，进行热处理以便使半导体膜中含有的氢扩散，通过还原在金属膜和第一氧化物膜之间的表面边界处形成的第二氧化物来形成第三氧化物，并分离含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜、含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该金属膜之间的表面边界，或含有该第二氧化物和该第三氧化物的薄膜与该第一氧化物之间的表面边界。

公开(公告)号：CN1157759C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN99126727.3

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。