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公开(公告)号：CN101232027B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810003745.8
申请日：2002-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/0003 , H01L51/5056 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S438/976
Abstract: 提供一种高质量的发光器件，其具有长耐久的发光元件，该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题，并提供制造发光器件的方法。形成堤之后，用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面，以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者，在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理，用于表面修正。
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公开(公告)号：CN101232027A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003745.8
申请日：2002-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/0003 , H01L51/5056 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S438/976
Abstract: 提供一种高质量的发光器件，其具有长耐久的发光元件，该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题，并提供制造发光器件的方法。形成堤之后，用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面，以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者，在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理，用于表面修正。
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公开(公告)号：CN1400850A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127550.5
申请日：2002-06-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258
Abstract: 传输水汽并容易吸收湿气是适合于层间绝缘膜的有机材料的特性，材料具有一个缺点即无论它是低分子还是高分子非常容易受到氧和湿气影响而退化。此外，采用碱金属或碱土金属用于发光元件的正电极或负电极，这些容易受到氧的氧化。因此湿气是造成发光元件的退化和造成黑点等缺陷的原因。提供一种发光器件，包括层间绝缘膜、发光元件和无机绝缘膜或碳膜，该层间绝缘膜包括高分子化合物并在绝缘表面上形成的TFT上形成，在层间绝缘膜上设置该发光元件，其中在一对电极之间形成包括有机化合物的发光层，该无机绝缘膜包含硅和氮作为它的主要成分，碳膜有SP3键合并包含氢并在该层间绝缘膜和该发光元件之间形成。
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公开(公告)号：CN1372325A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02104596.8
申请日：2002-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/0003 , H01L51/5056 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S438/976
Abstract: 提供一种高质量的发光器件,其具有长耐久的发光元件,该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题,并提供制造发光器件的方法。形成堤之后,用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面,以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者,在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理,用于表面修正。
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公开(公告)号：CN1333645A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01119049.3
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法,从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法,其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层,并借助于继续蒸发发光材料,同时停止蒸发掺杂剂,而制作由发光材料构成的第二发光层。结果,提高了各个发光层的连续性,从而能够得到优异的发光性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100452477C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510008322.1
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法，从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法，其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层，并借助于继续蒸发发光材料，同时停止蒸发掺杂剂，而制作由发光材料构成的第二发光层。结果，提高了各个发光层的连续性，从而能够得到优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN1642373A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510008322.1
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法，从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法，其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层，并借助于继续蒸发发光材料，同时停止蒸发掺杂剂，而制作由发光材料构成的第二发光层。结果，提高了各个发光层的连续性，从而能够得到优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN1197436C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01119049.3
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法，从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法，其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层，并借助于继续蒸发发光材料，同时停止蒸发掺杂剂，而制作由发光材料构成的第二发光层。结果，提高了各个发光层的连续性，从而能够得到优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN100481559C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN02127550.5
申请日：2002-06-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258
Abstract: 传输水汽并容易吸收湿气是适合于层间绝缘膜的有机材料的特性，材料具有一个缺点即无论它是低分子还是高分子非常容易受到氧和湿气影响而退化。此外，采用碱金属或碱土金属用于发光元件的正电极或负电极，这些容易受到氧的氧化。因此湿气是造成发光元件的退化和造成黑点等缺陷的原因。提供一种发光器件，包括层间绝缘膜、发光元件和无机绝缘膜或碳膜，该层间绝缘膜包括高分子化合物并在绝缘表面上形成的TFT上形成，在层间绝缘膜上设置该发光元件，其中在一对电极之间形成包括有机化合物的发光层，该无机绝缘膜包含硅和氮作为它的主要成分，碳膜有SP3键合并包含氢并在该层间绝缘膜和该发光元件之间形成。
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公开(公告)号：CN100375288C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN02104596.8
申请日：2002-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/524 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/0003 , H01L51/5056 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y10S438/976
Abstract: 提供一种高质量的发光器件，其具有长耐久的发光元件，该发光器件没有由于允许较小退化的结构造成的常规元件的问题，并提供制造发光器件的方法。形成堤之后，用PVA(聚乙烯醇)基多孔物质等擦洗暴露的阳极表面，以便整平该表面并从该表面去除灰尘。在TFT上的层间绝缘膜和阳极之间形成绝缘膜。或者，在TFT上的层间绝缘膜表面上进行等离子体处理，用于表面修正。
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