公开(公告)号：CN102738180B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201210245865.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H04M1/02

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN102509733B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110320098.5

申请日：2006-08-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  樋口美由纪 ,  渡边康子 ,  荒井康行

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/3253 ,  H01L27/3288 ,  H01L2227/326 ,  Y10S257/918

Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法。为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。

公开(公告)号：CN102496346B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110375144.1

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/32 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN1842745B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200480024785.0

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  福地邦彦 ,  藤并严 ,  村中孝司 ,  中村理

IPC: G03F7/16 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及一种采用此薄膜晶体管的显示器件的制造方法，借助于简化制造工艺，能够以更低的成本和更高的成品率来制造这种薄膜晶体管。根据本发明，利用滴珠喷射方法来形成用于图形化工艺的图形。借助于选择性地喷射包含有机树脂的组分来形成图形。利用此图形，导电材料、绝缘体、或构成半导体元件的半导体，被简单的工艺图形化成所需的形状。

公开(公告)号：CN102569342A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110373008.9

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN1991587B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200610064238.6

申请日：2006-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  山本裕子

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70025 ,  G03F7/7035

Abstract: 一种曝光装置，包括用于保持要曝光的基底8的平台10；设置在由平台10保持的要曝光的基底8之上的直接写入掩模6；掩模上设有重复开口图案，其中每一个具有近似相同尺寸的多个开口以近似相同的间隔排列成一条线；用于用线性激光束1c沿重复开口图案照射的照射机构；以及用于移动激光束与由平台保持的基底之间的相对位置的移动机构，该激光束是以由激光加工机构形成的线性激光束经过开口图案的多个开口的方式形成的。

公开(公告)号：CN101369401B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810168724.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN1716539B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN1744283B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200510103676.4

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  山本裕子 ,  佐藤淳子

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/32105 ,  B23K26/0661 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种具有细微形状的半导体层的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分照射激光来形成绝缘层，接着用该绝缘层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体层，从而制造使用该半导体层的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有细微形状的半导体层。

公开(公告)号：CN1620215B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200410085982.5

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  山道亚希 ,  山出直人

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件，该显示区域包括第一电极；覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及第二电极，其中，给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。