公开(公告)号：CN1716539A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN1716539B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。