公开(公告)号：CN103400843B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201310349668.2

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 磯部敦生 ,  高野圭恵 ,  荒井康行 ,  寺澤郁子

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在衬底上的半导体膜，形成在半导体膜上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的电荷累积层，形成在电荷累积层上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的导电膜，其中，半导体膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半导体。

公开(公告)号：CN101431082B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810184314.6

申请日：2005-06-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624

Abstract: 本发明的目的在于不用复杂的工艺、器件就能制造具有所要求特性的薄膜晶体管。其目的还在于，通过对薄膜晶体管的特性进行精密、自由的控制，提供一种能以低成本高合格率来制造可靠性高电特性好的半导体器件的技术。本发明的薄膜晶体管，在被栅极电极层覆盖的半导体层的源极区域侧或漏极区域侧制作低浓度的掺杂区域。低浓度掺杂区域是通过将栅极电极层作为掩膜，对着半导体层表面斜着进行掺杂而形成的。因而，能进行薄膜晶体管的精细特性的控制。

公开(公告)号：CN1716539B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。

公开(公告)号：CN106981489A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710365782.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN102760488A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210132046.X

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: G11C11/4193 ,  G11C16/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN1841766A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610059761.X

申请日：2006-03-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 磯部敦生 ,  德永肇 ,  山口真弓

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的目的是通过制造步骤减少了的工艺来制造具有LDD区的细小TFT，并制作具有适合于各个电路的结构的TFT。本发明的另一目的是即使在具有LDD区的TFT中，也确保开态电流。借助于形成其中栅电极下层的栅长度大于栅电极上层的栅长度的双层栅电极，来形成帽形栅电极。借助于利用抗蚀剂凹陷宽度而仅仅腐蚀栅电极的上层，来形成帽形栅电极。此外，硅化物被形成在布线与半导体膜的接触部分中，以便降低接触电阻。

公开(公告)号：CN106981489B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201710365782.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN102760488B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201210132046.X

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: G11C11/4193 ,  G11C16/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN101232047A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008905.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  磯部敦生 ,  乡户宏充

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种提高了工作特性及可靠性的具有新颖结构的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件包括设置在衬底之上且包括设置在一对杂质区域之间的沟道形成区域的岛状半导体层、与半导体层的侧面接触而设置的第一绝缘层、设置在沟道形成区域且以横穿半导体层的方式设置的栅电极、以及设置在沟道形成区域及栅电极之间的第二绝缘层。半导体层被局部薄膜化，在被薄膜化的区域设置有沟道形成区域，并且第二绝缘层至少覆盖第一绝缘层，该第一绝缘层设置在重叠于栅电极的区域的半导体层的侧面。

公开(公告)号：CN1716539A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078541.7

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  篠田裕人 ,  中村理 ,  磯部敦生 ,  山口哲司 ,  鄉戶宏充

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明提供一种具有使用大量生产上可多件提取的大面积衬底并且均匀掺入杂质元素的装置的半导体器件制造装置。本发明的一个特征为：将离子流的截面取为线状或正方形，而且使大面积衬底保持对离子流倾斜规定的倾斜角θ不变，同时使该衬底往垂直于离子流的纵向的方向移动。本发明中，通过改变倾斜角调整离子束的入射角。使大面积衬底对水平面为倾斜状态，从而能使离子流纵向宽度小于衬底1条边的长度。