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公开(公告)号：CN103400843B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201310349668.2
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在衬底上的半导体膜，形成在半导体膜上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的电荷累积层，形成在电荷累积层上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的导电膜，其中，半导体膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半导体。
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公开(公告)号：CN103400843A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310349668.2
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在衬底上的半导体膜，形成在半导体膜上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的电荷累积层，形成在电荷累积层上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的导电膜，其中，半导体膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101064348B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200710102497.8
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明中，在衬底上形成按顺序层叠了半导体膜、栅极绝缘膜和第一导电膜的叠层体；通过选择性地除去叠层体来形成设置为岛状的多个叠层体；覆盖设置为岛状的叠层体地形成绝缘膜；使与第一导电膜的表面的高度共同延伸地除去绝缘膜的一部分，以使第一导电膜的表面露出；在第一导电膜上及残留下的第一绝缘膜上形成第二导电膜；以及在第二导电膜上形成抗蚀剂，并且以该抗蚀剂作为掩模、选择性地除去第一导电膜及第二导电膜。
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公开(公告)号：CN101064348A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102497.8
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明中，在衬底上形成按顺序层叠了半导体膜、栅极绝缘膜和第一导电膜的叠层体；通过选择性地除去叠层体来形成设置为岛状的多个叠层体；覆盖设置为岛状的叠层体地形成绝缘膜；使与第一导电膜的表面的高度共同延伸地除去绝缘膜的一部分，以使第一导电膜的表面露出；在第一导电膜上及残留下的第一绝缘膜上形成第二导电膜；以及在第二导电膜上形成抗蚀剂，并且以该抗蚀剂作为掩模、选择性地除去第一导电膜及第二导电膜。
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