-
公开(公告)号：CN1744283B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510103676.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/32105 , B23K26/0661 , H01L21/268 , H01L21/32139 , H01L27/12 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78633
Abstract: 本发明提供一种具有细微形状的半导体层的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分照射激光来形成绝缘层，接着用该绝缘层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体层，从而制造使用该半导体层的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有细微形状的半导体层。
-
公开(公告)号：CN1744283A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510103676.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/32105 , B23K26/0661 , H01L21/268 , H01L21/32139 , H01L27/12 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78633
Abstract: 本发明提供一种具有细微形状的半导体层的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分照射激光来形成绝缘层，接着用该绝缘层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体层，从而制造使用该半导体层的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有细微形状的半导体层。
-
公开(公告)号：CN1604279A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083448.0
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/4867 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括用于形成由高熔点金属组成的第一导电层以与一绝缘层相接触的第一步骤；以及用于通过流注包含导电材料的合成物来形成第二导电层以与第一导电层相接触的第二步骤。在通过液滴流注形成第二导电层之前，形成所述第一导电层，并因此，提高了第二导电层的粘合性和抗剥离性。此外，用第一导电层覆盖绝缘层，从而防止绝缘层的损坏或破坏。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925112B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200510103678.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/288 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。
-
公开(公告)号：CN100530553C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200410083448.0
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/4867 , H01L23/498 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括用于形成由高熔点金属组成的第一导电层以与一绝缘层相接触的第一步骤；以及用于通过流注包含导电材料的合成物来形成第二导电层以与第一导电层相接触的第二步骤。在通过液滴流注形成第二导电层之前，形成所述第一导电层，并因此，提高了第二导电层的粘合性和抗剥离性。此外，用第一导电层覆盖绝缘层，从而防止绝缘层的损坏或破坏。
-
公开(公告)号：CN1925112A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510103678.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/288 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。
-
公开(公告)号：CN101866830B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010197468.6
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/288 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明名称为半导体器件的制造方法，提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。
-
公开(公告)号：CN101866830A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010197468.6
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/288 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明名称为半导体器件的制造方法，提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.024 seconds)
