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公开(公告)号：CN100502040C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610006407.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , G02F1/136227 , H01L21/288 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L23/49855 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。
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公开(公告)号：CN1797717B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510129035.6
申请日：2005-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 山本裕子
IPC: H01L21/3105 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/288 , G02F1/136227 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/7682 , H01L21/76877 , H01L23/5329 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L29/7833 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H05K3/0011 , H05K3/0035 , H05K2201/0116 , H05K2203/107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有多个空孔的绝缘膜的形成方法。此外，提供以高成品率制造被高集成化的半导体器件的方法。在本发明中，为了实现层间绝缘膜的低介电常数化，通过使用激光束在形成层间绝缘膜中形成多个空孔来形成多孔绝缘膜。另外，使用以喷墨法为代表的液滴喷射法向所述多孔绝缘膜中排放包含导电性粒子的组成物后，烘焙来形成布线。激光束优选使用超短脉冲激光束。
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公开(公告)号：CN1819268A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006407.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , G02F1/136227 , H01L21/288 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L23/49855 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。
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公开(公告)号：CN1744283A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510103676.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/32105 , B23K26/0661 , H01L21/268 , H01L21/32139 , H01L27/12 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78633
Abstract: 本发明提供一种具有细微形状的半导体层的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分照射激光来形成绝缘层，接着用该绝缘层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体层，从而制造使用该半导体层的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有细微形状的半导体层。
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公开(公告)号：CN101442057B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810185260.5
申请日：2006-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/5226 , G02F1/136227 , H01L21/288 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L23/49855 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法、以及电子设备。本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101442057A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810185260.5
申请日：2006-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/5226 , G02F1/136227 , H01L21/288 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L23/49855 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法、以及电子设备。本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。
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公开(公告)号：CN1991587B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200610064238.6
申请日：2006-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: G03F7/70025 , G03F7/7035
Abstract: 一种曝光装置，包括用于保持要曝光的基底8的平台10；设置在由平台10保持的要曝光的基底8之上的直接写入掩模6；掩模上设有重复开口图案，其中每一个具有近似相同尺寸的多个开口以近似相同的间隔排列成一条线；用于用线性激光束1c沿重复开口图案照射的照射机构；以及用于移动激光束与由平台保持的基底之间的相对位置的移动机构，该激光束是以由激光加工机构形成的线性激光束经过开口图案的多个开口的方式形成的。
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公开(公告)号：CN1744283B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510103676.4
申请日：2005-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/32105 , B23K26/0661 , H01L21/268 , H01L21/32139 , H01L27/12 , H01L27/1288 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78633
Abstract: 本发明提供一种具有细微形状的半导体层的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分照射激光来形成绝缘层，接着用该绝缘层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体层，从而制造使用该半导体层的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有细微形状的半导体层。
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公开(公告)号：CN101436600A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810185259.2
申请日：2006-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/5226 , G02F1/136227 , H01L21/288 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L23/49855 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法、以及电子设备。本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。
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公开(公告)号：CN1797717A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510129035.6
申请日：2005-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 山本裕子
IPC: H01L21/3105 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/288 , G02F1/136227 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/7682 , H01L21/76877 , H01L23/5329 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1292 , H01L27/3244 , H01L29/7833 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H05K3/0011 , H05K3/0035 , H05K2201/0116 , H05K2203/107 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有多个空孔的绝缘膜的形成方法。此外，提供以高成品率制造被高集成化的半导体器件的方法。在本发明中，为了实现层间绝缘膜的低介电常数化，通过使用激光束在形成层间绝缘膜中形成多个空孔来形成多孔绝缘膜。另外，使用以喷墨法为代表的液滴喷射法向所述多孔绝缘膜中排放包含导电性粒子的组成物后，烘焙来形成布线。激光束优选使用超短脉冲激光束。
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