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公开(公告)号：CN119439649A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411849829.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴辉雄 , 芒格什·邦阿 , 克里斯托弗·S·恩盖 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶 , 史蒂文·希隆·韦尔奇
IPC: G03F7/20 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/11 , G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本文提供了用于最小化藉由光刻法所形成的线中的线缘/线宽粗糙度的方法和设备。在一个实例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将包括光酸产生剂的光刻胶层施加到设置在基板上的多层上，其中所述多层包括由有机材料、无机材料、或有机材料与无机材料的混合物所形成的下伏层；在光刻曝光工艺中将所述光刻胶层的未被光掩模保护的第一部分暴露于辐射光；和施加电场或磁场以实质上在垂直方向上变更所述光酸产生剂所产生的光酸的移动。
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公开(公告)号：CN119361416A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411344557.7
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , C23C16/509 , C23C16/515 , C23C16/517 , H01L21/67
Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
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公开(公告)号：CN116936405A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310755012.4
申请日：2018-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿迪卜·汗 , 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 , 苏坦·马立克 , 肖恩·S·康 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/67 , C23C16/52 , H01L21/687 , H01L21/768 , H01L21/324
Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
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公开(公告)号：CN116802784A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180088911.2
申请日：2021-11-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 德米特里·卢博米尔斯基 , 约翰·O·杜科维奇 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/677
Abstract: 本文提供在光刻工艺期间在无气隙干预的情况下对光刻胶层施加电场及/或磁场的方法及装置。该方法及装置包括：腔室主体，其被配置为填充工艺流体；及基板载体。当将基板装载至基板载体上时基板载体设置于工艺容积外，但在进入工艺流体的同时或之前将所述基板载体旋转至处理位置。在使用电场对基板执行曝光后烘烤工艺之前，将基板载体旋转至平行于电极的工艺位置。
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公开(公告)号：CN110710056B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201880034861.8
申请日：2018-05-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01Q9/40 , H01L21/3065
Abstract: 等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，AC功率源用于将第一AC功率供应到多个单极天线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115190917A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202080082849.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/36 , C23C16/04 , C23C16/505
Abstract: 描述了用于碳氮化硅膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法。通过将基板表面暴露于前驱物和反应物来在基板表面上形成可流动的碳氮化硅膜，所述前驱物具有通式(I)或通式(II)的结构其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12独立地选自氢(H)、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的乙烯基、硅烷、取代或未取代的胺或卤化物；净化处理腔室中的硅前驱物，然后将基板暴露于氨等离子体。
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公开(公告)号：CN109642312B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780050740.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘菁菁 , 华忠强 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 迈克尔·W·斯托威尔 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 巴尔加夫·西特拉 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 安德烈·哈莱比卡
Abstract: 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
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公开(公告)号：CN106536165B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201580038877.2
申请日：2015-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯多夫·A·罗兰 , 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 卡斯拉曼·克里沙南 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 托马斯·B·布里泽哲科 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 珍妮弗·Y·孙 , 西蒙·亚沃伯格 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 奈格·B·帕蒂班德拉 , 胡·T·额
IPC: B29C64/153 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02
Abstract: 一种增材制造系统，该增材制造系统包括：工作台；馈给材料输送系统，该馈给材料输送系统经构造以将馈给材料输送至工作台上由电脑辅助设计程序所指定的位置；及热源，该热源经构造以跨整个层或跨工作台的宽度延伸的区域同时升高馈给材料的温度并跨工作台的长度扫描该区域。该热源可为加热灯阵列或等离子体源。
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公开(公告)号：CN111066120A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880057395.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于处理工件的等离子体反应器，包括腔室，具有介电窗；工件支撑件，用以在腔室中保持工件；旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台及具有旋转轴的可旋转台；微波天线，并覆盖腔室的介电窗；旋转致动器，用以旋转微波天线；和处理气体分配器，包括环绕工件支撑件的气体分配环。微波天线包括耦合至可旋转台的至少一个导管。气体分配环包括将圆形导管从腔室分开的圆柱形腔室衬垫，及径向延伸穿过衬垫的多个孔，以将导管连接至腔室。
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公开(公告)号：CN110832109A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880044202.2
申请日：2018-07-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿达西·巴苏 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
Abstract: 描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。
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