公开(公告)号：CN222851438U

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202421468759.8

申请日：2024-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾明鸿 ,  黄子松 ,  江宗宪 ,  苏安治 ,  胡毓晋 ,  曾华伟 ,  谢正贤 ,  吴伟诚 ,  叶德强

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括并排设置的第一集成电路管芯、与第一集成电路管芯交叠并电性耦接到第一集成电路管芯的第二集成电路管芯和第一导电特征。每个第一集成电路管芯包括第一和第二管芯连接件。第一管芯连接件的第一间距小于第二管芯连接件的第二间距且大体上等于第二集成电路管芯的第三管芯连接件的第三间距。第一导电特征插设在第一和第三管芯连接件之间并电性耦接到第一和第三管芯连接件。每个第一导电特征包括至少一第一导电凸块和至少一第一导电接点。通过省略在堆叠集成电路管芯之间的重布线层可降低制造成本。

公开(公告)号：CN218996710U

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202223285032.X

申请日：2022-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江佾澈 ,  陈建勋 ,  洪端佑 ,  潘信瑜 ,  谢潍冈 ,  江宗宪 ,  黄朝先 ,  黄子松 ,  曾明鸿 ,  陈韦志 ,  吴邦立 ,  蔡豪益 ,  胡毓祥 ,  刘重希

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 本实用新型提供一种半导体封装，包括背侧重布线结构、前侧重布线结构、包封体以及穿孔。背侧重布线结构包括第一介电层、第二介电层、第一金属化图案以及第二金属化图案。第二介电层位于所述第一介电层上。第一金属化图案，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，其中所述第二介电层延伸穿过所述第一金属化图案以形成介电槽。第二金属化图案，其中所述第二介电层位于所述第一金属化图案与所述第二金属化图案之间。包封体位于所述背侧重布线结构与所述前侧重布线结构之间。穿孔延伸穿过所述包封体，所述穿孔与所述第二金属化图案实体耦合，其中所述介电槽在俯视图中与所述穿孔重叠。

公开(公告)号：CN221960970U

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202323249302.6

申请日：2023-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 ,  于宗源 ,  林彦良 ,  张智浩 ,  刘家宏 ,  黄子松 ,  林柏均 ,  陈世伟 ,  刘重希 ,  倪培荣 ,  黄信维 ,  蔡政刚 ,  刘泰佑 ,  施伯昌 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  庄钧智 ,  黄榆婷 ,  宋瑞文 ,  王榆景 ,  张根育 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H10B12/00

Abstract: 本实用新型提供一种封装，半导体晶粒以及前侧与背侧重布线结构。背侧重布线结构包括第一重布线层和背侧连接件，自第一重布线层的远侧延伸，且包括具有朝向远离第一重布线层的方向缩减的宽度的渐缩部分。渐缩部分包括在端部的接触面。封装可藉由优化背侧重布线结构的厚度提供可控的封装翘曲、可消除对于激光钻孔的需求并因此消除接着性问题产生的不良影响、可消除在背侧层形成空腔的需求且因此减少被环境污染的风险、还减少导致背侧重布线结构中的裂缝的应力。

公开(公告)号：CN220510023U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321398970.2

申请日：2023-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴邦立 ,  江宗宪 ,  黄子松 ,  黄朝先 ,  张家纶 ,  林修任 ,  曾明鸿 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本实用新型提供一种包括一或多个散热系统的半导体封装。所述半导体封装可包括：一或多个积体电路晶粒；包封体，环绕所述一或多个积体电路晶粒；重布线结构，位于所述一或多个积体电路晶粒以及包封体之上。重布线结构可包括一或多个散热系统，所述一或多个散热系统与重布线结构的其余部分电性隔离。每一散热系统可包括第一金属接垫、第二金属接垫以及将第一金属接垫连接至第二金属接垫的一或多个金属通孔。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利