公开(公告)号：CN1862702A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610078210.8

申请日：2006-05-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李政宏 ,  吴经纬 ,  廖宏仁

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C17/12 ,  G11C7/12 ,  G11C17/18

Abstract: 本发明提供一种存储器系统及只读存储器系统，用以缩短存储单元的存取时间。上述存储器系统包括：至少一存储单元、至少一位线放电次系统，具有至少一放电模组，每个放电模组耦接至位线，而位线又耦接至至少一存储单元，用以在放电控制信号触发时，将位线降低一电压电平；至少一感测放大器，耦接至位线，用以在选取的存储单元中决定所要储存的数据；以及至少一锁存模组，用以在锁存致能信号触发时，储存由感测放大器决定所要储存的数据。其中放电控制信号在锁存致能信号触发之前被触发，以便降低位线的电压电平而加速数据的读取。本发明可缩短存储单元的存取时间。

公开(公告)号：CN115494904A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210351107.5

申请日：2022-04-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭家辰 ,  林洋绪 ,  许育豪 ,  李政宏 ,  廖宏仁 ,  张琮永

IPC: G05F1/56 ,  H03K17/687

Abstract: 本揭示文件描述用于选择电压供应的选择电路、选择系统以及选择方法。此选择电路包含第一控制开关、第一电压供应开关、第二控制开关以及第二电压供应开关。第一控制开关用以接收控制信号以及第一电压供应。第一电压供应开关电性耦合至第一控制开关，且用以接收第二电压供应。第二控制开关用以接收控制信号以及第二电压供应。第二电压供应开关电性耦合至第二控制开关，且用以接收第一电压供应。第一以及第二电压供应开关用以基于控制信号选择性地输出第一以及第二电压供应。

公开(公告)号：CN114822609A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110263207.8

申请日：2021-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(南京)有限公司

Inventor： 藤原英弘 ,  黄智强 ,  郑宏正 ,  陈炎辉 ,  廖宏仁 ,  张琮永 ,  李云汉 ,  鲁立忠

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/10 ,  H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 本公开涉及包括硅通孔的存储器宏。一种存储器宏结构包括：第一存储器阵列；第二存储器阵列；单元激活电路，耦合到所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列并且位于所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列之间；控制电路，耦合到所述单元激活电路并且被定位为与所述单元激活电路相邻；以及硅通孔(TSV)，延伸穿过所述单元激活电路或所述控制电路中的一者。

公开(公告)号：CN114708890A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210186367.1

申请日：2022-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭家辰 ,  林洋绪 ,  许育豪 ,  李政宏 ,  廖宏仁

IPC: G11C5/14 ,  G11C11/417

Abstract: 本申请提供了电源管理电路、片上系统设备、以及电源管理方法。一种电路包括功率检测器和逻辑电路。功率检测器被配置为根据状态信号和来自第一电源的第一电源信号来输出第一功率管理信号。电路被配置为响应于状态信号而在不同模式下工作。逻辑电路被配置为根据第一功率管理信号和状态信号来输出第二功率管理信号。

公开(公告)号：CN109427387B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201810995756.2

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 藤原英弘 ,  廖宏仁 ,  潘显裕 ,  林志宇 ,  陈炎辉 ,  赛赫尔·普列特·辛格

IPC: G11C11/414

Abstract: 本发明的实施例提供了存储阵列。存储阵列包括沿着第一方向排列的单元列和在单元列上方沿着第一方向延伸的位线。该单元列包括一组存储单元和一组带单元。位线包括第一导体和第二导体。第一导体沿着第一方向延伸并且位于第一导电层中。第二导体沿着第一方向延伸并且位于不同于第一导电层的第二导电层中。

公开(公告)号：CN107403635B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710182966.5

申请日：2017-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏建国 ,  李政宏 ,  郑基廷 ,  廖宏仁 ,  张琮永 ,  陈炎辉 ,  潘卡伊·阿加沃尔 ,  廖忠志

IPC: G11C7/12 ,  G11C7/18

Abstract: 本发明实施例提供一种存储器宏及其操作方法。其中，存储器宏包含第一存储器单元阵列、第一跟踪电路及第一预充电电路。所述第一跟踪电路包含：第一组存储器单元，其响应于第一组控制信号而配置为第一组负载单元；第二组存储器单元，其响应于第二组控制信号而配置为第一组下拉单元；及第一跟踪位线，其耦合到所述第一组存储器单元及所述第二组存储器单元。所述第一组下拉单元及所述第一组负载单元经配置以跟踪所述第一存储器单元阵列的存储器单元。所述第一预充电电路耦合到所述第一跟踪位线，且经配置以响应于第三组控制信号而将所述第一跟踪位线充电到预充电电压电平。

公开(公告)号：CN109559772A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811115814.4

申请日：2018-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马合木提·斯楠吉尔 ,  廖宏仁 ,  张琮永 ,  陈炎辉 ,  林彦廷

IPC: G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 本揭露提出一种位单元。位单元包括读取端口电路和写入端口电路。读取端口电路包括四个晶体管，其中读取端口电路由第一阈值电压激活。写入端口电路包括八个晶体管，其中写入端口电路由第二阈值电压激活。写入端口电路耦接到读取端口电路。第一阈值电压和第二阈值电压可以不同，并且可以由单电源电压提供。

公开(公告)号：CN106024051B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510731978.X

申请日：2015-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈炎辉 ,  廖宏仁 ,  林志宇 ,  张琮永 ,  吴威震

IPC: G11C8/08

Abstract: 本发明公开了一种包括存储器单元、字线、选择单元和自升压驱动器的电子器件。将存储器单元配置为存储数据。字线连接至存储器单元。选择单元设置在字线的第一端处，并且被配置为传输选择信号，以根据读命令和写命令中的一个来激活字线。自升压驱动器设置在字线的第二端处，并且被配置为根据字线的电压电平和控制信号来对字线的电压电平进行上拉。本发明还提供了一种驱动该电子器件的方法。

公开(公告)号：CN107705812A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710674795.8

申请日：2017-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马姆特·辛纳格 ,  郑基廷 ,  廖宏仁 ,  张琮永

IPC: G11C11/418

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/12 ,  G11C11/418

Abstract: 在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器SRAM装置。所述SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。所述SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。

公开(公告)号：CN107436966A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710395402.X

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴承隽 ,  廖宏仁 ,  詹伟闵 ,  陈炎辉

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F17/5077 ,  G06F17/5045

Abstract: 本揭露提供一种将使用系统实施的用于消除电路单元的伪路径的方法。该方法包括：接收与电路单元相关联的第一电子对照表和第二电子对照表；基于第一电子对照表而识别电路单元的接线网；提供包含与接线网相关联的信息的接线网信息输出；在第二电子对照表中选择不横穿接线网的电路单元的路径；以及提供包含与路径相关联的信息的路径信息输出。