公开(公告)号：CN107705812A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710674795.8

申请日：2017-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马姆特·辛纳格 ,  郑基廷 ,  廖宏仁 ,  张琮永

IPC: G11C11/418

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/12 ,  G11C11/418

Abstract: 在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器SRAM装置。所述SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。所述SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。

公开(公告)号：CN107705812B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201710674795.8

申请日：2017-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马姆特·辛纳格 ,  郑基廷 ,  廖宏仁 ,  张琮永

IPC: G11C11/418

Abstract: 在一个实施例中，提供一种静态随机存取存储器SRAM装置。所述SRAM装置包括：多个存储器单元；位线，其在数据节点处耦合到所述多个存储器单元中的第一组；及第一电压供应线，其耦合到所述多个存储器单元中的第二组。所述SRAM装置进一步包括：第一开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到第一电压源以将所述第一电压供应线充电到第一电压电平；及第二开关，其用于将所述第一电压供应线选择性地耦合到所述位线以将所述位线预充电到比所述第一电压电平小的位线电压电平。