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公开(公告)号：CN113470706B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202110609624.3
申请日：2021-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马合木提·斯楠吉尔 , 董庆 , 林彦廷 , 凯雷姆·阿卡尔瓦达尔 , 卡洛斯·H.·迪亚兹 , 王奕
Abstract: 本发明公开了读取或感测由多级单元存储的多位数据的电路和方法。在该方面，从第一组参考电路中选择第一参考电路，从第二组参考电路中选择第二参考电路。至少部分地基于第一参考电路和第二参考电路，可以确定由多级单元存储的多位数据的一个或多个位。根据所确定的一个或多个位，可以选择来自第一组参考电路的第三参考电路和来自第二组参考电路的第四参考电路。至少部分地基于第三参考电路和第四参考电路，可以确定由多级单元存储的多位数据中的另外一个或多个位。本发明的实施例还涉及存储器件及其操作方法。
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公开(公告)号：CN109559772A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811115814.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/4094 , G11C11/4097
Abstract: 本揭露提出一种位单元。位单元包括读取端口电路和写入端口电路。读取端口电路包括四个晶体管，其中读取端口电路由第一阈值电压激活。写入端口电路包括八个晶体管，其中写入端口电路由第二阈值电压激活。写入端口电路耦接到读取端口电路。第一阈值电压和第二阈值电压可以不同，并且可以由单电源电压提供。
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公开(公告)号：CN113470706A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110609624.3
申请日：2021-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 马合木提·斯楠吉尔 , 董庆 , 林彦廷 , 凯雷姆·阿卡尔瓦达尔 , 卡洛斯·H.·迪亚兹 , 王奕
Abstract: 本发明公开了读取或感测由多级单元存储的多位数据的电路和方法。在该方面，从第一组参考电路中选择第一参考电路，从第二组参考电路中选择第二参考电路。至少部分地基于第一参考电路和第二参考电路，可以确定由多级单元存储的多位数据的一个或多个位。根据所确定的一个或多个位，可以选择来自第一组参考电路的第三参考电路和来自第二组参考电路的第四参考电路。至少部分地基于第三参考电路和第四参考电路，可以确定由多级单元存储的多位数据中的另外一个或多个位。本发明的实施例还涉及存储器件及其操作方法。
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公开(公告)号：CN110619904B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910519102.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C11/412
Abstract: 十二晶体管(12T)存储器单元用于存储器装置，其中，所述存储器装置包括：传输门、可操作地连接到所述传输门的交叉耦合反相器电路、和可操作地连接到所述交叉耦合反相器电路的三态反相器。所述交叉耦合反相器包括交叉耦合的另一三态反相器和反相器电路。公开了用于12T存储器单元的各种操作以及执行这些操作的电路。本发明的实施例还提供了电子装置和存储器装置的存储器单元的写入操作方法。
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公开(公告)号：CN110619904A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910519102.7
申请日：2019-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C11/412
Abstract: 十二晶体管(12T)存储器单元用于存储器装置，其中，所述存储器装置包括：传输门、可操作地连接到所述传输门的交叉耦合反相器电路、和可操作地连接到所述交叉耦合反相器电路的三态反相器。所述交叉耦合反相器包括交叉耦合的另一三态反相器和反相器电路。公开了用于12T存储器单元的各种操作以及执行这些操作的电路。本发明的实施例还提供了电子装置和存储器装置的存储器单元的写入操作方法。
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