公开(公告)号：CN110729007B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201910639832.0

申请日：2019-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 藤原英弘 ,  戴承隽 ,  林志宇 ,  陈炎辉 ,  野口纮希

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 静态随机存取存储器(SRAM)电路可以将存储器阵列中的列位线分组为位线的子集，并且为位线的每个子集提供y地址信号输入。额外地或可选地，存储器单元的阵列中的每行可操作地连接到多条字线。本发明的实施例还涉及SRAM电路的操作方法。

公开(公告)号：CN110729007A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910639832.0

申请日：2019-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 藤原英弘 ,  戴承隽 ,  林志宇 ,  陈炎辉 ,  野口纮希

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 静态随机存取存储器(SRAM)电路可以将存储器阵列中的列位线分组为位线的子集，并且为位线的每个子集提供y地址信号输入。额外地或可选地，存储器单元的阵列中的每行可操作地连接到多条字线。本发明的实施例还涉及SRAM电路的操作方法。

公开(公告)号：CN107436966A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710395402.X

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴承隽 ,  廖宏仁 ,  詹伟闵 ,  陈炎辉

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F17/5077 ,  G06F17/5045

Abstract: 本揭露提供一种将使用系统实施的用于消除电路单元的伪路径的方法。该方法包括：接收与电路单元相关联的第一电子对照表和第二电子对照表；基于第一电子对照表而识别电路单元的接线网；提供包含与接线网相关联的信息的接线网信息输出；在第二电子对照表中选择不横穿接线网的电路单元的路径；以及提供包含与路径相关联的信息的路径信息输出。