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公开(公告)号：CN119787980A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411659615.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开一种宽频率调节范围的压控振荡器，涉及射频技术领域，以解决现有技术中振荡器的输出频率调谐范围窄、不连续的问题。压控振荡器，包括：无源拓扑模块、有源负阻模块、频率调节模块和模式切换模块；无源拓扑模块包括多个相互耦合的电感；多个电感共同耦合并提供所需的阻抗峰；多个电感包括1个八字型电感线圈、第一环形电感线圈和第二环形电感线圈；八字型电感线圈包括第一电感线圈、第二电感二线圈和公共电感线圈；频率调节模块用于调节阻抗峰的对应频率；有源负阻模块用于为无源拓扑模块提供信号增益，以满足振荡条件，模式切换模块用于切换振荡器的工作模式。本发明的振荡器具有4个连续的工作频段，输出频率调谐范围更宽。
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公开(公告)号：CN113658624B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111033172.5
申请日：2021-09-03
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器及存储器阵列，半导体存储器，包括：开关单元的第一端与位线连接，开关单元的控制端与第一字线连接；存储单元的第一端与开关单元的第二端连接，存储单元的控制端与第二字线连接，存储单元的第二端接地，存储单元的第三端与第一背栅压连接；通过改变第一背栅压和第二字线的写入电压，使得存储单元处于PDSOI模式，利用浮体效应获得存储窗口，以将位线输入的数据存储，再利用存储单元处于FDSOI模式擦除存储数据，此种存储器结构既有开关功能，也具有存储功能，在不改变存储单元膜层结构及厚度的前提下，存储单元能够分别实现PDSOI模式或FDSOI模式，相较于传统电容存储结构，降低寄生电容，提高工作频率、运行速度及存储容量。
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公开(公告)号：CN117316959A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311442824.X
申请日：2023-11-01
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
IPC: H01L27/12 , H01L23/552 , H01L21/762
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括毗邻的第一区域和第二区域，刻蚀第一区域的半导体衬底，形成第一开口，在第一开口内依次填充第一材料和第二材料，刻蚀半导体衬底和第二材料，同时分别形成第一鳍通道和第二鳍通道，氧化第一材料，形成氧化绝缘层，本申请通过在成本较低的半导体衬底的第一区域上刻蚀形成第一开口，在第一开口填充第一材料和第二材料，在第一区域形成SOI衬底，刻蚀半导体衬底和第二材料，在第一区域和第二区域同时形成鳍式场效应晶体管的鳍结构，在利用半导体衬底同时制造得到基于SOI衬底和基于半导体衬底的鳍式场效应晶体管的基础上，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN113489401B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110615576.9
申请日：2021-06-02
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H02P21/14 , H02P21/22 , H02P21/18 , H02P25/022 , H02P27/12
Abstract: 本发明公开了一种六相永磁同步电机的控制装置和方法与六相永磁同步电机系统，装置包括：高速电流检测模块、转子位置检测模块、电流处理模块；其中，电流处理模块分别与高速电流检测模块、和转子位置检测模块电连接；其中，电流处理模块，用于对高速电流检测模块采集的六相电流进行空间矢量解耦生成空间向量，并获取转子位置检测模块输出的转子的当前角度，以及基于空间向量与转子的当前角度生成功率信号控制当前六相永磁同步电机进行驱动。因此，采用本申请实施例，可以实现六相电的全解耦控制，极大的降低了六相永磁同步电机控制器的工程实现难度。
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公开(公告)号：CN113517349B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110798892.4
申请日：2021-07-15
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L23/544 , H01L21/66 , G01R27/08 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构，其可实现源漏寄生电阻分开提取，便于进行测试操作，鳍式场效应晶体管包括鳍、分布于鳍的栅极区、源漏极区、接触层、分布于源漏极区两侧的延伸层，相邻两个栅极区之间设置有一个接触层，源漏寄生电阻包括串联的源漏接触电阻、外延生长电阻、延伸电阻、栅极驱动信道电阻，用于对源漏寄生电阻进行测试的测试结构，选取若干个接触层之间的区域作为总测试区，总测试区一端的接触层与驱动电流源连接，另一端的接触层接地，总测试区包括至少三个不同测试区间，不同测试区间通过接触层分隔，且每个测试区间两侧的接触层为电压测试点，不同测试区间的鳍长度沿鳍方向依次递增。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635391B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011419129.8
申请日：2020-12-07
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/762 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上应变锗锡硅衬底、晶体管及其制备方法。一种绝缘体上应变锗锡硅衬底的制备方法，包括：在第一衬底上依次堆叠形成第一锗层、Ge1‑x‑ySnxSiy层、第二锗层，并且0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1；去除第二锗层，在Ge1‑x‑ySnxSiy层的表面形成介质层，获得衬底A；在第二衬底上形成埋氧层，获得衬底B；将衬底A和衬底B键合，之后去除第一衬底、第一锗层。晶体管的制备方法：在绝缘体上应变锗锡硅衬底的Ge1‑x‑ySnxSiy层上制作栅极，并在栅极两侧的Ge1‑x‑ySnxSiy层上进行掺杂以制作源漏极。本发明向半导体层中引入双轴应变，显著增加了衬底制成的晶体管的沟道迁移率。
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公开(公告)号：CN112818629B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011632476.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种平面晶体管的设计准则及平面晶体管，包括：使用优先方法将关键的设计准则进行评估并划分成4个级别；对所述设计准则优先级排序的第一级别为：新规则；对所述设计准则优先级排序的第二级别为：区域关键规则；对所述设计准则优先级排序的第三级别为：设计关键规则；对所述设计准则优先级排序的第四级别为：产量关键规则；所述第一级别的优先级最高，所述第四级别的优先级最低；使用优先方法评估所述设计准则以及所述设计准则设计的创新的设计布局，将所述平面晶体管的设计准则和设计架构达到最佳化。
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公开(公告)号：CN115934596A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211573097.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F13/16
Abstract: 本申请实施例提供了一种非并发外设接口直接存储访问的电路及方法，以降低请求的生成数量，提高系统级芯片总线的运行效率，该电路包括：非并发外设接口直接存储访问模块，非并发外设接口直接存储访问模块与片上系统低速总线和N个接口连接，为各个接口设置直接存储器访问触发数据量，当与接口对应的待接收数据的数量达到直接存储器接收请求触发数据量时，生成直接存储器访问接收请求，当与接口对应的待发送数据的数量达到直接存储器发送请求触发数据量时，生成直接存储器访问发送请求，当收到接口发送的直接存储器访问接收请求和直接存储器访问发送请求时，为接口建立数据传输通道，通过数据传输通道对接口中的数据进行传输。
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公开(公告)号：CN115692265A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211360691.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种平坦化制程中改善直线缺陷的方法，其可减少晶圆表面直线形缺陷、水印或有机物残留，可提高加工效率，该方法基于平坦化机台实现，平坦化机台包括晶圆放置台、位于晶圆放置台一侧的干燥装置，晶圆放置台用于固定晶圆，干燥装置上开有至少两排平行分布的喷气孔，每排包含至少两个间隔分布的喷气孔，该方法包括：将晶圆放置于晶圆放置台，使喷气孔与晶圆的待干燥面对应，晶圆与干燥装置产生相对位移的过程中，通过干燥装置的喷气孔向晶圆的待干燥面喷射气体。
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公开(公告)号：CN115621308A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211361606.9
申请日：2022-11-02
Applicant: 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/417 , H01L21/768 , H01L29/40 , H01L29/51 , H01L29/72 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及电晶体的接触电阻技术领域,公开了降低电晶体的电极接触电阻的方法、电晶体和导电结构，其中方法包括以下步骤S1：蚀刻好电晶体的电极接触孔后，在电极接触孔的内壁制作一层二维材料层，形成第二接触孔；S2：在第二接触孔的内壁制作一层金属层，形成第三接触孔；S3：在第三接触孔内填充金属；在实际使用时，本发明通过在金属层与第二电极和在金属层与第三电极之间分别设置二维材料层，二维材料层相当于MIS结构中绝缘层，可以让第二电极或者第三电极的表面接触电子能真正达到电子穿隧效应的性能，进而降低接触电阻。
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