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公开(公告)号：CN119855234A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411992509.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，公开了一种射频绝缘体上锗晶圆及其制造方法。该方法包括形成施主衬底，施主衬底包括依次层叠的硅衬底、刻蚀阻挡层、锗层和负电容材料层；形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠的RF‑SOI衬底和二氧化硅层；将施主衬底的负电容材料层与受主衬底的二氧化硅层进行晶圆键合；去除硅衬底；去除刻蚀阻挡层，得到射频绝缘体上锗晶圆。通过该方法制备的射频绝缘体上锗晶圆具有优异的信号传输性能。
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公开(公告)号：CN119584661A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411680109.4
申请日：2024-11-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H10F39/12 , H10F39/18 , H10F77/124
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种三波段的图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：依次叠加的衬底层、氧化硅层、氧化铝层、第一电极层、紫外光传感层、可见光传感层、红外光传感层、第二电极层和钝化层；多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿第二电极层、红外光传感层、可见光传感层和紫外光传感层；紫外光传感层采用本征砷化铝材料；可见光传感层采用本征砷化镓材料；红外光传感层采用本征斜切6度的锗系材料；钝化层均匀覆盖在第二电极层和各个矩形凹槽的内壁上；本申请能够解决现有技术中三种传感层之间存在的晶格失配和极性失配问题，降低制造成本，适用于批量化生产。
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公开(公告)号：CN118969810B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411427388.3
申请日：2024-10-14
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H10F39/12 , H10F77/30 , H10F77/124 , H10F77/169 , H10F30/225
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种基于玻璃衬底的SPADs图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：依次叠加的玻璃衬底、氧化硅层、氧化铝层、P型重掺杂砷化镓层、本征砷化镓可见光传感层、本征锗系短波红外传感层、P型电荷层、多雪崩层、N型重掺杂锗层和钝化层；以及多个形状相同，并以预设间隔分布的矩形凹槽；矩形凹槽依次贯穿N型重掺杂锗层、多雪崩层、P型电荷层、本征锗系短波红外传感层和本征砷化镓可见光传感层；钝化层均匀覆盖在N型重掺杂锗层和各矩形凹槽的内壁上。本申请能够将SPADs图像传感器的光谱响应范围扩展到390nm‑1700nm。
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公开(公告)号：CN118943153B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411412686.5
申请日：2024-10-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种绝缘体上锗短波红外图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：读出电路、钝化层、N型电极和P型电极，以及依次叠加的第二硅衬底、热氧层、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、P型电荷层、本征锗量子阱层、本征锗层和N型重掺杂锗层，以及多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽；P型电荷层的长度小于预设间隔，数量大于0且小于矩形凹槽的数量减1；N型电极穿过钝化层连接P型重掺杂锗层；P型电极穿过钝化层连接N型重掺杂锗层；各N型电极和各P型电极均与读出电路连接。本申请能够同时处理强光信号和弱光信号，拓展了图像传感器的动态响应范围，使其能够适应更广泛的应用场景。
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公开(公告)号：CN118943153A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411412686.5
申请日：2024-10-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种绝缘体上锗短波红外图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：读出电路、钝化层、N型电极和P型电极，以及依次叠加的第二硅衬底、热氧层、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、P型电荷层、本征锗量子阱层、本征锗层和N型重掺杂锗层，以及多个形状相同并以预设间隔分布的矩形凹槽；P型电荷层的长度小于预设间隔，数量大于0且小于矩形凹槽的数量减1；N型电极穿过钝化层连接P型重掺杂锗层；P型电极穿过钝化层连接N型重掺杂锗层；各N型电极和各P型电极均与读出电路连接。本申请能够同时处理强光信号和弱光信号，拓展了图像传感器的动态响应范围，使其能够适应更广泛的应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118380455B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410805028.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/146 , H01L31/024 , H01L31/107
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，公开了一种高阻值硅基锗SPADs传感器及其制备方法，包括依次叠加的高阻值硅基锗晶圆、传感层、锗硅层、雪崩层、第二锗层、氧化硅层、传感互连层、读出互连层和读出电路；高阻值硅基锗晶圆包括依次叠加的高阻值受主硅衬底、高阻值硅键合层和第一锗层；高阻值受主硅衬底的材质为碳化硅、金刚石或氮化铝。本申请够保证高阻值硅基锗晶圆具有优异的散热特性以及更好的工作性能。
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公开(公告)号：CN118281022B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410683575.1
申请日：2024-05-30
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/146 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，公开了一种基于锗硅多雪崩层的绝缘体上锗系SPADs传感器结构及其制备方法，包括：传感器晶圆、钝化层、N型电极、P型电极和读出电路；传感器晶圆包括依次叠加的热氧层、反射镜、氧化铝层、P型重掺杂锗层、本征锗传感层、本征锗量子阱传感层、P型电荷层、本征锗硅多雪崩层和N型重掺杂锗层；传感器晶圆还包括多个以预设间隔分布的矩形凹槽；钝化层覆盖在N型重掺杂锗层和各矩形凹槽的内壁上；N型电极设于矩形凹槽内，穿过钝化层连接P型重掺杂锗层；P型电极穿过钝化层连接N型重掺杂锗层；读出电路分别连接N型电极和P型电极。本申请可以移除晶格失配缺陷，降低传感器的暗电流、暗计数率及雪崩击穿电压。
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公开(公告)号：CN112635492B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011393106.4
申请日：2020-12-02
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种应变GeSiOI衬底及其制作方法。一种应变GeSiOI衬底包括由下至上依次堆叠的：硅衬底，第一氧化硅层，多个氮化硅分隔条；第二氧化硅层；Ge1‑xSix层。制作方法：制作支撑衬底：在第一硅衬底上依次沉积第一氧化硅层、氮化硅层；图案化所述氮化硅层形成多个分立的氮化硅分隔条，相邻分隔条之间形成沟槽；再形成第二氧化硅层，以填充沟槽并覆盖分隔条的上表面；制作施主衬底：在第二硅衬底上外延Ge1‑xSix层；将支撑衬底和施主衬底键合、减薄，获得应变GeSiOI衬底。本发明在支撑衬底而非施主衬底中引入，利用这种工艺形成的GeSiOI衬底应变力更大，制作的器件电特性更优良。
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公开(公告)号：CN115579322A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211183023.1
申请日：2022-09-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供衬底结构，衬底结构包括依次叠置的玻璃衬底以及顶锗层；然后，对顶锗层依次进行硅离子注入以及退火操作，形成硅化锗层；最后，在硅化锗层的裸露表面上形成晶体管。该方法在具有玻璃衬底的顶锗层中离子注入硅离子形成硅化锗层，增加了锗硅沟道应力，提升了载流子迁移速率，进而解决现有技术中SOI衬底上硅材料载流子迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN113471215A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110540923.6
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种多层绝缘体上锗衬底结构，包括由下至上依次堆叠的背衬硅层、第一绝缘层、第一锗层以及交替垂直堆叠在所述第一锗层上的n层第二绝缘层和n层第二锗层，并且靠近所述第一锗层的是所述第二绝缘层；其中，n为1以上的正整数；所述第二绝缘层存在贯穿所述第二绝缘层的凹槽；并且所述凹槽中充满与所述第二锗层相同的材料。本发明还涉及一种多层绝缘体上锗衬底结构的制备方法。本发明的衬底结构可用于垂直堆叠全耗尽晶体管，有利于减小器件的短沟道效应，同时有利于提升器件的开态电流，在小尺寸半导体器件的制备中有望得到应用。
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