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公开(公告)号：CN113031390B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110274061.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。
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公开(公告)号：CN118312137A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410527350.7
申请日：2024-04-29
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请公开了一种基于自旋轨道矩磁性隧道结的逻辑运算单元和方法。该逻辑运算单元包括：全耗尽型绝缘体FDSOI的MOS管与自旋轨道矩磁性隧道结SOTMTJ；FDSOI的MOS管的漏极与SOTMTJ的第一端串联，SOTMTJ的第二端接地；FDSOI的MOS管的栅极接入栅极电压；FDSOI的MOS管的源极接入源极电压、背栅极接入背栅极电压，以根据源极电压、背栅极电压以及初始阻态，调整SOTMTJ的阻态并作为逻辑运算结果。本申请利用了FDSOI的MOS管具有的背栅调控特性，不使用SOTMTJ的电控特性即可实现逻辑运算，不受由于制造差异化导致的电控特性具有较大分布的影响，更适用于大规模的集成使用。
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公开(公告)号：CN118298868A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410491344.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G11C11/16 , G11C11/409
Abstract: 本申请公开了一种计算电路、自旋转移矩磁存储器及终端设备。该电路应用于STT‑MRAM，包括：计算电路包括控制单元和第一磁性隧道结MTJ逻辑单元；第一MTJ逻辑单元包括第一输入MTJ、第二输入MTJ和第一输出MTJ，第一输入MTJ和第二输入MTJ并联，且与第一输出MTJ串联；控制器，用于将第一输出MTJ初始化为高阻态；控制工作电压为满足第一条件的第一电压，以使第一输入MTJ或第二输入MTJ为低阻态，第一输出MTJ为低阻态，实现逻辑与操作；控制工作电压为满足第二条件的第二电压，以使第一输入MTJ和第二输入MTJ均为低阻态，第一输出MTJ为低阻态，实现逻辑或操作。如此可以减少片上资源消耗，降低能耗。
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公开(公告)号：CN115360230B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210655638.3
申请日：2022-06-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请提供了LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件，该方法包括：提供基底，基底包括硅衬底、绝缘氧化层、半导体材料层、隔离结构以及硅材料结构，硅衬底具有相邻的第一掺杂区域和第二掺杂区域；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成硅材料层；至少在硅材料层的预定表面上形成HK介质层；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成栅极、源极和漏极。该方法使得关闭状态时漂移区中的大部分电通量流向HK介质层，有助于漂移区耗尽，从而可以增加漂移区的掺杂浓度，在开启状态减小器件的导通电阻，进而解决了现有技术为了得到大的击穿电压，延长漂移区导致器件性能变差的问题。
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公开(公告)号：CN114254581B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111562650.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/392
Abstract: 本申请提供一种基于半导体的版图压缩方法及装置，利用扫描矩形从当前版图的第一侧开始移动，在扫描的过程中确定是否存在与扫描矩形有交集的目标图形，当扫描到栅极图形时，调整当前栅极图形与上一个栅极图形之间的栅间距为固定值，当扫描到孔图形时，移动孔图形，直至孔图形和栅极图形产生交集时停止，当扫描到金属层图形时，移动与孔图形连接的金属层图形，使得压缩前后的金属层图形和孔图形的一一对应。由此可见，本申请实施例利用扫描矩形确定芯片版图中的目标图形，对不同的目标图形进行不同的处理，保证栅极、孔和金属层之间的拓扑连接关系不变压缩版图，简化芯片版图在压缩过程中的复杂性，可以快速压缩版图，提升版图压缩的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114253090B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210072959.0
申请日：2022-01-21
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法和装置，该方法用于集成电路器件，集成电路的扩散层包括有源Active区和浅沟道隔离STI区，浅沟道隔离区填充有氧化硅薄膜层，氧化硅薄膜层的目标图形区上方设有光刻胶图层；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括光刻胶图层的第一尺寸信息以及与有源区的第一间距；基于样本数据生成第一光罩图形，第一目标图形的图形误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。通过本方案可以对第一光罩图形进行图形优化，获得第二光罩图形，抵消有源区侧壁产生的二次曝光引起图形误差，避免出现光刻胶倒塌，同时也提高了光刻机的曝光精度。
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公开(公告)号：CN117176521A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311441062.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H04L25/03
Abstract: 本申请公开了一种两级级联判决器、判决反馈均衡器和有线接收机，提高了判决器的速度。该两级级联判决器的第一级电路为强臂判决器。第二级电路包括：四个PMOS管M9、M10、M18、M19以及三个NMOS管M17、M20、M21；其中，M9、M10、M18、M19的源极均接电源；M19、M18的栅极各自接强臂判决器的第一输出端MN和第二输出端MP；M17、M9、M10的栅极均接收时钟信号；M9、M18、M20的漏极以及M21的栅极均接第二级电路的第一输出端ON；M10、M19、M21的漏极以及M20的栅极均接第二级电路的第二输出端OP；M20、M21的源极以及M17的漏极连接在一起；M17的源极接地。
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公开(公告)号：CN114326330B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210071674.5
申请日：2022-01-21
Applicant: 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法及装置，该方法用于集成电路器件；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；基于样本数据生成的第一光罩图形对光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形，第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。本方案可以对图形尺寸误差超过阈值的第一光罩图形进行图形优化，获得图形尺寸误差更小的第二光罩图形，不仅提高了光刻的精度，避免出现光刻胶残留，且提高了后续的工艺窗口，提高产品的良品率。
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公开(公告)号：CN116487421A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310641125.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本申请实施例公开了一种场效应晶体管及其制作方法，该方法中所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电极层中包括NiSi，所述第二电极层中包括HfO2，从而可以利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，进而减缓硅化物在高温下快速团聚形成高阻NiSi2，提高金属电极中包括镍原子时，场效应晶体管的稳定性，即提高NiSi作为场效应晶体管的金属电极时的稳定性，同时利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，还可以提高所述第一电极层和有源区之间的接触界面的平滑度。
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公开(公告)号：CN116230045A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310222650.X
申请日：2023-03-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种写入驱动电路，包括背偏生成电路和磁隧道结电路，所述背偏生成电路的第一输入端用于获取写入数据，所述背偏生成电路的第二输入端用于获取读写控制信号，通过对写入数据和读写控制信号进行分析，提供与所述写入数据和读写控制信号相适配的背栅偏压，将所述背栅偏压作为所述磁隧道结电路的控制信号，从而能够根据实际读写情况所需的驱动能力，对写“0”、写“1”和读分别提供不同的背栅偏压，能够有效降低电路功耗。同时避免了传统字线驱动电路电源VCOM切换时间较长的问题，提高MRAM电路读写的速度，并且背栅调节功能应用到字线驱动电路设计中，可以很好的解决MRAM写入操作的超压问题，提高电路的可靠性。
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