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公开(公告)号：CN113031390B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110274061.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。
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公开(公告)号：CN112729133B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202011509110.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于探测光栅衍射强度测量薄膜厚度的方法及装置，包括：提供待测晶圆；控制预设波长的探测光源照射待测晶圆具有薄膜结构一侧，探测光源透过薄膜结构照射多个光栅区，探测光源在多个光栅区衍射后透过薄膜结构出射；采集每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i预设衍射光，第i预设衍射光为预设衍射级次的衍射光；根据第i预设衍射光确定每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i光栅衍射强度；参考每个光栅区的预设位置分别位于晶片的坐标和每个光栅区的预设位置分别对应的第i光栅衍射强度，拟合第i薄膜层的厚度曲线。本发明无需增加额外工艺，能够有效保证晶圆的制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN114068379A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046398.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。
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公开(公告)号：CN113009789A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110244338.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。
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公开(公告)号：CN119200341A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411286748.2
申请日：2024-09-13
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于套刻误差的联合优化方法、装置、设备及介质。该方法包括：获取样本量测数据，确定初始套刻误差补偿模型中的待调整参数；对待调整参数进行分组，得到候选模型参数组和参考模型参数组，分别确定候选模型参数组对应的候选套刻误差补偿模型，以及参考模型参数组对应的参考套刻误差补偿模型；根据样本量测数据、候选套刻误差补偿模型和参考套刻误差补偿模型，确定目标套刻误差补偿模型；对样本量测数据进行分组，得到候选量测数据组和参考量测数据组，并根据候选量测数据组、参考量测数据组和目标套刻误差补偿模型，确定目标采样方案。提高了模型的适用性，提高了采样方案的准确度和适用性，提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113608410B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110672856.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。
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公开(公告)号：CN112965349A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110130424.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种晶圆对准方法及晶圆双面测量系统，该晶圆对准方法包括：提供晶圆，所述晶圆的正面具有正面对准标识；于所述晶圆的背面设置背面对准标识；建立所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系；量测所述背面对准标识的位置，基于量测的所述背面对准标识的位置及所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系得到所述正面对准标识的位置，并基于得到的所述正面对准标识的位置完成对准。该晶圆对准方法无需获取晶圆内部正面对准标识的坐标位置，而是直接测量背面对准标识，然后通过其与正面对准标识的坐标对应关系，得到正面对准标识的坐标，从而实现晶圆正面对准标识的精确定位。
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公开(公告)号：CN112729133A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011509110.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于探测光栅衍射强度测量薄膜厚度的方法及装置，包括：提供待测晶圆；控制预设波长的探测光源照射待测晶圆具有薄膜结构一侧，探测光源透过薄膜结构照射多个光栅区，探测光源在多个光栅区衍射后透过薄膜结构出射；采集每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i预设衍射光，第i预设衍射光为预设衍射级次的衍射光；根据第i预设衍射光确定每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i光栅衍射强度；参考每个光栅区的预设位置分别位于晶片的坐标和每个光栅区的预设位置分别对应的第i光栅衍射强度，拟合第i薄膜层的厚度曲线。本发明无需增加额外工艺，能够有效保证晶圆的制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN115933333A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310088349.4
申请日：2023-01-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种套刻误差补偿模型参数配置方法及装置，根据预设的参数数量选择套刻误差补偿模型中的模型参数，获得配置后的套刻误差补偿模型。对套刻误差量测数据、配置后的模型和配置后的模型的参数值进行计算，以获取表征量，并将表征量和套刻误差量测数据进行求差处理，获得表征残值。将表征残值进行归一化处理，获得配置后模型的评价参数。根据预设的参数数量选择不同的模型参数，以获取配置后的模型的集合，并对配置后的模型的集合进行迭代处理，获得评价参数集合。根据评价参数集合中最小的评价参数，获得优化后的套刻误差补偿模型。评价参数最小的模型参数配置最优，针对性的提高了模型的补偿精度。
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公开(公告)号：CN113759659A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111050334.6
申请日：2021-09-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F1/70
Abstract: 本发明涉及一种光源掩模优化方法，包括：提供待优化掩模图形，所述待优化掩模图形包括斜线图形；将所述待优化掩模图形按照第一方向旋转第一角度，使得所述斜线图形的延伸方向为水平方向或竖直方向；基于旋转后的所述待优化掩模图形进行第一次光源优化，以得到第一优化光源；基于旋转前的所述待优化掩模图形进行第一次掩模优化，以得到第一优化掩模图形；将所述第一优化光源按照第二方向旋转所述第一角度，以得到第二优化光源，所述第二方向与所述第一方向相反；基于所述第一优化掩模图形和所述第二优化光源进行第二次掩模优化，以得到第二优化掩模图形。采用上述光源掩模优化方法，可以得到更加接近目标图形的光刻仿真图形。
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