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公开(公告)号：CN114068379A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046398.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。
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公开(公告)号：CN114068379B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202210046398.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。
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公开(公告)号：CN114038776B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210024325.8
申请日：2022-01-11
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种解决因晶圆翘曲形变导致对准偏差的方法，提供待对准的晶圆，将晶圆内翘曲形变量小于300微米的区域设定为待检测区域；选择待检测区域内的多个对位标记进行坐标测量，建立粗对准偏差模型；选择待检测区域内的其余多个对位标记进行坐标测量，建立精对准偏差模型；对比粗对准偏差模型与精对准偏差模型并计算差值。由于粗对准步骤与精对准步骤选择的都是晶圆翘曲形变量小于300微米的区域内的对位标记，从而减少了粗对准偏差模型与精对准偏差模型之间的差值，避免了差值过大造成的晶圆退片的问题，避免了人工对准操作以及更改机器参数的风险，同时降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114038776A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202210024325.8
申请日：2022-01-11
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种解决因晶圆翘曲形变导致对准偏差的方法，提供待对准的晶圆，将晶圆内翘曲形变量小于300微米的区域设定为待检测区域；选择待检测区域内的多个对位标记进行坐标测量，建立粗对准偏差模型；选择待检测区域内的其余多个对位标记进行坐标测量，建立精对准偏差模型；对比粗对准偏差模型与精对准偏差模型并计算差值。由于粗对准步骤与精对准步骤选择的都是晶圆翘曲形变量小于300微米的区域内的对位标记，从而减少了粗对准偏差模型与精对准偏差模型之间的差值，避免了差值过大造成的晶圆退片的问题，避免了人工对准操作以及更改机器参数的风险，同时降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112419486A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011401381.6
申请日：2020-12-02
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光刻胶形貌的三维重建方法，本发明通过无损测量方式获得所述采集区域的光刻胶线条在第一倾角下的第一二维图像使得其无需破坏晶圆进行制样，消除了样品的成本，还使得其不会出现由于切片造成的光刻胶图形出现移位、拉伸、改变原本形貌等问题，从而提高了测量精度，同时，在获取第一二维图像和第二二维图像时，均通过机器自动完成，无需通过人工操作，因此不存在人员测量差异，还降低了人工的成本。并通过本发明的方法使得重建的所述采集区域的光刻胶线条的三维图像的过程通过软件实现，其也是机器自动完成，无需通过人工操作，大幅度缩短检测周期，加快了工艺研发进度。
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