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公开(公告)号：CN112965349A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110130424.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种晶圆对准方法及晶圆双面测量系统，该晶圆对准方法包括：提供晶圆，所述晶圆的正面具有正面对准标识；于所述晶圆的背面设置背面对准标识；建立所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系；量测所述背面对准标识的位置，基于量测的所述背面对准标识的位置及所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系得到所述正面对准标识的位置，并基于得到的所述正面对准标识的位置完成对准。该晶圆对准方法无需获取晶圆内部正面对准标识的坐标位置，而是直接测量背面对准标识，然后通过其与正面对准标识的坐标对应关系，得到正面对准标识的坐标，从而实现晶圆正面对准标识的精确定位。
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公开(公告)号：CN117608172A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311792601.6
申请日：2023-12-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种通孔桥连缺陷概率的计算方法及装置，通孔桥连缺陷概率的计算方法包括：获取双重曝光工艺下两层光刻掩膜版图的第一通孔和第二通孔，第一通孔的位置在套刻误差范围内沿预设方向波动，固定第二通孔的位置；划分第一通孔和第二通孔的位置关系；计算每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的距离；获取双重曝光工艺下桥连缺陷的阈值距离；根据阈值距离和每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的距离，确定不同位置关系中的安全区间；根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间，确定发生通孔桥连缺陷的概率。本发明可以快速、准确的计算通孔桥连缺陷的概率。
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公开(公告)号：CN116088264A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211620724.7
申请日：2022-12-15
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请提供了一种工艺热点的确定方法、装置和光刻版图设计系统，该方法包括：第一绘制步骤，将基层图层以外的所有的图层的通孔图案绘制在基层图层上，得到通孔图案版图；第二绘制步骤，以各基层图层通孔图案的中心为圆心，以预定距离为半径，在通孔图案版图上绘制多个扫描圆；第一确定步骤，将通孔图案版图中与各扫描圆存在重叠区域的通孔图案确定为异常通孔图案；第二确定步骤，将扫描圆对应的异常通孔图案和扫描圆对应的基层图层通孔图案确定为异常通孔图案组，完成基层图层的扫描；重复步骤，依次重复第一绘制步骤、第二绘制步骤、第一确定步骤和第二确定步骤至少一次，直至完成所有的图层扫描，解决现有技术中工艺热点的检测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN117518708A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311602348.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 一种图形修正方法，包括：获得探测版图，所述探测版图包括若干所述第一曝光图形和若干所述第二曝光图形，通过在探测版图内建立粗探测区的方法，且以所述第一曝光图形与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值，所述最小距离值用于计算相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的桥连缺陷的概率，所述最小距离值越小，产生桥连缺陷的概率越大，仅将可能产生桥连缺陷的第一轮廓边和第二轮廓边包括在各精细探测区内进行计算，而不需要对所有的轮廓边的检测点进行计算，极大地减少了计算量，利于缩短数据处理时间。
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公开(公告)号：CN113589642A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110757830.9
申请日：2021-07-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明能够提供集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质，该方法可包括如下步骤。对集成电路设计版图包含的光刻图形进行光学邻近效应矫正，以得到第一仿真图形。基于刻蚀第一仿真图形的过程对第一仿真图形进行修正，以得到第二仿真图形。基于化学机械平坦化处理第二仿真图形的过程对第二仿真图形进行修正，以得到第三仿真图形。通过对第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段。根据所有图形片段的形貌特征预测目标线条图形是否存在开路缺陷。本发明结合了光学邻近效应、刻蚀、化学机械平坦化等多种工艺的涨落因素，实现一种抗工艺涨落的集成电路开路缺陷预测方法，提升了集成电路的良率和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113009789A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110244338.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。
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公开(公告)号：CN113589642B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110757830.9
申请日：2021-07-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明能够提供集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质，该方法可包括如下步骤。对集成电路设计版图包含的光刻图形进行光学邻近效应矫正，以得到第一仿真图形。基于刻蚀第一仿真图形的过程对第一仿真图形进行修正，以得到第二仿真图形。基于化学机械平坦化处理第二仿真图形的过程对第二仿真图形进行修正，以得到第三仿真图形。通过对第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段。根据所有图形片段的形貌特征预测目标线条图形是否存在开路缺陷。本发明结合了光学邻近效应、刻蚀、化学机械平坦化等多种工艺的涨落因素，实现一种抗工艺涨落的(56)对比文件Rakesh Kumar Kuncha等."OPCverification considering CMP inducedtopography"《.PROCEEDINGS OF SPIE》.2015,第9661卷第1-7页.
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公开(公告)号：CN119903806A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411993491.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/394 , G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种芯片的通孔测试版图确定方法，包括：根据第一金属层中第一金属线和第二金属层中第二金属线的设计规则和物理版图信息随机生成通孔矩阵；其中，第一金属线沿第一方向延伸，第二金属线沿第二方向延伸，第一方向和第二方向相互交叉；根据所述通孔矩阵、所述设计信息以及通孔信息设置第一金属线和第二金属线并更新通孔矩阵；根据第一线间距、第二线间距、通孔信息和更新的通孔矩阵设置通孔；通孔信息包括通孔沿第一方向的宽度、通孔沿第二方向的宽度以及通孔的最小包围距离。本发明实施例的方案可以根据设计规则，设计通孔测试版图，确定其尺寸，并且可以设定通孔的大致占比，使得通孔版图更符合芯片工艺测试的要求。
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公开(公告)号：CN113009789B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110244338.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。
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公开(公告)号：CN117215158A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311170677.5
申请日：2023-09-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开一种通孔桥接缺陷预测方法、装置和计算机可读介质，其中方法包括：基于集成电路通孔层分别位于两层版图上的通孔构建计算单元，每个计算单元对应一通孔对，每个通孔对由分别位于两层版图上的两个通孔形成；根据套刻误差波动范围，预测每个计算单元的通孔对桥接与非桥接的通孔位置分界线；根据通孔位置分界线，预测各计算单元的通孔对的安全区域；根据套刻误差的变动统计特征，确定安全区域内各计算单元的通孔不发生桥接缺陷的概率，以确定通孔桥接缺陷概率的预测结果。本申请通过将套刻误差的变动统计特征引入通孔桥接缺陷的预测，可实现快速、高效的进行双重曝光技术下通孔桥接缺陷概率的预测，并可应用在大规模的集成电路制造中。
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