-
公开(公告)号：CN115587545A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211471556.X
申请日：2022-11-23
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本申请提出了一种用于光刻胶的参数优化方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：采集实验数据，并对实验数据进行缺陷检测，获取通过缺陷检测的有效实验数据；基于有效实验数据，采用深度学习算法构建光刻胶减量模型；基于光刻胶减量模型进行预测，得到光刻胶减量模型的预测结果；当预测结果为合格时，对光刻胶减量模型进行反向训练；根据反向训练后的光刻胶减量模型，确定旋涂目标对应的工艺参数。本申请采用深度学习算法根据实际旋涂工艺参数构建光刻胶减量模型，并对模型进行优化，准确地对光刻胶减量进行预测，得到光刻胶目标厚度对应的所需工艺参数，从而有效提高光刻胶减量效率和适用性，并降低晶圆的制造成本。
-
公开(公告)号：CN112729133B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202011509110.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于探测光栅衍射强度测量薄膜厚度的方法及装置，包括：提供待测晶圆；控制预设波长的探测光源照射待测晶圆具有薄膜结构一侧，探测光源透过薄膜结构照射多个光栅区，探测光源在多个光栅区衍射后透过薄膜结构出射；采集每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i预设衍射光，第i预设衍射光为预设衍射级次的衍射光；根据第i预设衍射光确定每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i光栅衍射强度；参考每个光栅区的预设位置分别位于晶片的坐标和每个光栅区的预设位置分别对应的第i光栅衍射强度，拟合第i薄膜层的厚度曲线。本发明无需增加额外工艺，能够有效保证晶圆的制作成本低廉。
-
公开(公告)号：CN114068379A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046398.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。
-
公开(公告)号：CN113608410B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110672856.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115587545B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211471556.X
申请日：2022-11-23
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06N3/04 , G06N3/084
Abstract: 本申请提出了一种用于光刻胶的参数优化方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：采集实验数据，并对实验数据进行缺陷检测，获取通过缺陷检测的有效实验数据；基于有效实验数据，采用深度学习算法构建光刻胶减量模型；基于光刻胶减量模型进行预测，得到光刻胶减量模型的预测结果；当预测结果为合格时，对光刻胶减量模型进行反向训练；根据反向训练后的光刻胶减量模型，确定旋涂目标对应的工艺参数。本申请采用深度学习算法根据实际旋涂工艺参数构建光刻胶减量模型，并对模型进行优化，准确地对光刻胶减量进行预测，得到光刻胶目标厚度对应的所需工艺参数，从而有效提高光刻胶减量效率和适用性，并降低晶圆的制造成本。
-
公开(公告)号：CN112965349A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110130424.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种晶圆对准方法及晶圆双面测量系统，该晶圆对准方法包括：提供晶圆，所述晶圆的正面具有正面对准标识；于所述晶圆的背面设置背面对准标识；建立所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系；量测所述背面对准标识的位置，基于量测的所述背面对准标识的位置及所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系得到所述正面对准标识的位置，并基于得到的所述正面对准标识的位置完成对准。该晶圆对准方法无需获取晶圆内部正面对准标识的坐标位置，而是直接测量背面对准标识，然后通过其与正面对准标识的坐标对应关系，得到正面对准标识的坐标，从而实现晶圆正面对准标识的精确定位。
-
公开(公告)号：CN112729133A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011509110.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于探测光栅衍射强度测量薄膜厚度的方法及装置，包括：提供待测晶圆；控制预设波长的探测光源照射待测晶圆具有薄膜结构一侧，探测光源透过薄膜结构照射多个光栅区，探测光源在多个光栅区衍射后透过薄膜结构出射；采集每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i预设衍射光，第i预设衍射光为预设衍射级次的衍射光；根据第i预设衍射光确定每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i光栅衍射强度；参考每个光栅区的预设位置分别位于晶片的坐标和每个光栅区的预设位置分别对应的第i光栅衍射强度，拟合第i薄膜层的厚度曲线。本发明无需增加额外工艺，能够有效保证晶圆的制作成本低廉。
-
公开(公告)号：CN114068379B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202210046398.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。
-
公开(公告)号：CN113608410A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110672856.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.04 seconds)
