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公开(公告)号：CN113009789B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110244338.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。
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公开(公告)号：CN118259872A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410434049.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请公开了一种级联运算电路和运算器。电路包括：第一灵敏放大模块、复用模块和第二灵敏放大模块；其中，第一灵敏放大模块的输出端连接复用模块的控制端，复用模块的输出端连接第二灵敏放大模块的输入端；第一灵敏放大模块，用于根据第一灵敏放大模块中第一存储单元的电阻输出对应的第一信号；第一信号为数字信号；复用模块，用于根据第一信号输出对应的第二信号；第二信号为模拟信号；第二灵敏放大模块，用于根据第二信号确定第二灵敏放大模块中第二存储单元和第三存储单元之间的逻辑运算方式；逻辑运算方式包括逻辑与运算和逻辑或运算。通过硬件的方式实现级联运算，无需对外进行数据交互，进而提高级联运算的计算能效。
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公开(公告)号：CN113658253B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110852802.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请提出一种模板匹配定位方法、装置、图像采集设备及存储介质，该方法包括：分别获取目标图像的外轮廓模板和内部图案模板；使用第一阈值对待匹配图像进行特征提取，得到待匹配图像的初始特征，使用第二阈值对待匹配图像的外轮廓以内的部分进行特征提取，得到内部图案特征，第一阈值大于第二阈值；将初始特征与外轮廓模板进行匹配，得到外轮廓匹配定位结果；在外轮廓匹配定位结果的基础上，将内部图案特征与内部图案模板进行匹配，得到待匹配图像的模板匹配定位结果。本申请通过两级模板匹配的定位方式，在目标图像内部为弱对比度图案的情况下，大幅减少待匹配图像特征提取时生成的干扰特征，有效提升匹配定位的实时性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN113471093B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110639484.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置。该薄膜形貌预测方法包括如下步骤：读取衬底图像，衬底图像上具有微纳结构图形。从衬底图像中提取出多个表面轮廓位点，多个表面轮廓位点均为处于微纳结构图形边缘的位置点。根据表面轮廓位点的位置和目标工艺参数确定各个表面轮廓位点的预期反应速率。利用预设工艺时间和预期反应速率计算各个表面轮廓位点薄膜厚度变化。根据各个表面轮廓位点薄膜厚度变化更新衬底图像中微纳结构图形边缘的界面，以预测出用于半导体器件的薄膜形貌。本发明提供了用于指导薄膜工艺设计开发和优化的薄膜形貌预测结果，基于本发明方案可达到实现工艺设计预期、降低研发成本及推进研发进度等技术目的。
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公开(公告)号：CN118074636A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410251856.X
申请日：2024-03-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 一种运算放大器电路及其工作方法，其中运算放大器电路包括：第一运算放大器，用于根据第一信号输出调节信号，所述第一运算放大器包括斩波电路，所述斩波电路用于对所述调节信号的失调电压以及噪声进行调节；第二运算放大器，用于根据所述调节信号，对所述第一信号的失调电压以及噪声进行调节，以输出第二信号。通过在运算放大器电路中接入第二运算放大器，所述第二运算放大器用于输出调节信号至所述第一运算放大器，以调节所述第一信号的失调电压以及噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118033220A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211421973.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G01R19/165 , G01K7/16
Abstract: 本发明涉及一种温度检测电路，属于模拟集成电路设计中温度检测技术领域，解决了现有技术中的温度检测电路易受干扰、结构复杂、功耗大的问题。一种温度检测电路包括：阈值电压转移电路、过温检测电路、温度比较电路：阈值电压转移电路，用于生成温度比较的参考电压到温度比较电路；过温检测电路，采用亚阈值区的MOS管构造PTAT电压实现温度检测，并将PTAT电压发送至温度比较电路；温度比较电路，基于参考电压和PTAT电压，判断芯片温度是否过高。本申请的温度检测电路，实现了功耗小，电路简单，可靠性高的温度检测。
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公开(公告)号：CN117997320A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211355686.7
申请日：2022-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H03K17/16 , H03K17/30 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种有源密勒钳位电路，属于新能源汽车SiC高压隔离驱动集成电路设计领域，解决了现有技术中有源密勒钳位电路和主驱动电路之间存在时序不匹配，容易造成密勒钳位电路提前开通或者延迟关断，容易引起电磁兼容和串扰问题；因此开关频率低，无法提高开关频率的问题。本申请包括：输出电压检测模块用于检测功率级模块的输出电压，输出驱动控制信号至驱动控制模块；驱动控制模块用于接收控制信号和输出电压检测模块生成的驱动控制信号，控制功率级模块的输出电压加速变低或控制功率级模块的输出关断和开启；功率级模块，用于输出电压至输出电压检测模块。实现了解决密勒钳位电路提前开通或延迟关断引起电磁兼容和串扰问题的目的。
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公开(公告)号：CN113361544B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110656540.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06V10/82 , G06T5/50 , G06V10/40 , G06V10/24 , G06N3/0464 , G06T3/4038
Abstract: 本申请提出一种图像采集设备及其外参修正方法、装置及存储介质，该图像采集设备的外参修正方法包括：将第一图像和第二图像分别输入训练好的深度神经网络模型，计算两张图像的变换矩阵；第一图像由采集位置未发生变化的第一图像采集装置获得，第二图像由采集位置发生变化的第二图像采集装置获得；根据变换矩阵和第一图像采集装置的外参，修正第二图像采集装置的外参。本申请能够对已经发生位置改变的图像采集装置进行快速地外参修正，以在重复纹理、弱纹理，以及夜视和大背景干扰等复杂情况下进行高效稳定、高精度地特征点提取以及图像匹配。
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公开(公告)号：CN117878859A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410224128.X
申请日：2024-02-29
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明提供了一种钳位保护电路及设备，该钳位保护电路包括第一电阻、电流转换模块、电流镜结构、第一电容和第一NMOS晶体管；该电路通过电流镜结构保持电流转换模块两路电流输出的电流值相同，而电流转换模块的一路电流输出与第一电容相连，因而为保持电流值相同，当电流转换模块两路电流输出实际不同时，便会通过第一电容消耗/补充差值部分的电流，即实现对第一电容的充电/放电，进而可以实现对第一NMOS晶体管的控制，实现电压的钳位。该电路在电压钳位过程中不依赖于晶体管的阈值电压，这大大增加钳位电压的精准度，提升钳位保护电路的实际应用效果。
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公开(公告)号：CN117176521B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311441062.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H04L25/03
Abstract: 本申请公开了一种两级级联判决器、判决反馈均衡器和有线接收机，提高了判决器的速度。该两级级联判决器的第一级电路为强臂判决器。第二级电路包括：四个PMOS管M9、M10、M18、M19以及三个NMOS管M17、M20、M21；其中，M9、M10、M18、M19的源极均接电源；M19、M18的栅极各自接强臂判决器的第一输出端MN和第二输出端MP；M17、M9、M10的栅极均接收时钟信号；M9、M18、M20的漏极以及M21的栅极均接第二级电路的第一输出端ON；M10、M19、M21的漏极以及M20的栅极均接第二级电路的第二输出端OP；M20、M21的源极以及M17的漏极连接在一起；M17的源极接地。
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