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公开(公告)号：CN113051863B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110271530.X
申请日：2021-03-12
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明涉及一种半导体建模方法、半导体建模装置、存储介质及计算机设备，包括：获取实际衬底图像；基于所述实际衬底图像，得到衬底表面轮廓上若干坐标位点的坐标信息；基于所述坐标信息，得到各所述坐标位点的反应速率；基于各所述坐标位点的反应速率，对衬底表面的生长轮廓进行演化，以得到所述衬底表面的沉积模型。上述半导体建模方法、装置、存储介质及计算机设备可以更加真实的模拟出衬底上进行薄膜沉积后的形貌及可能出现的孔洞、缝隙等薄膜缺陷，从而对薄膜生长工艺具备更好的指导意义。
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公开(公告)号：CN116305773A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211728408.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/18
Abstract: 本申请提供一种薄膜沉积工艺仿真模型参数优化方法及装置，通过工艺仿真模型，基于将初始衬底轮廓信息、沉积工艺条件和初始半经验系数进行仿真，得到仿真膜层的仿真轮廓信息，初始衬底轮廓为初始结构的表面轮廓信息，根据仿真轮廓信息和实际轮廓信息可以确定仿真预测误差，实际轮廓信息为针对初始结构经过该沉积工艺条件进行沉积之后得到的实际膜层的轮廓信息，以降低仿真预测误差为目的，调整初始半经验参数，在仿真预测误差达到预设误差值时，初始半经验参数被调整为优化半经验参数，提高了参数确定的效率。利用工艺仿真模型，基于优化半经验参数、初始衬底轮廓信息和沉积工艺条件进行沉积工艺仿真，准确模拟实际沉积工艺，利于辅助工艺开发。
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公开(公告)号：CN113471093A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110639484.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置。该薄膜形貌预测方法包括如下步骤：读取衬底图像，衬底图像上具有微纳结构图形。从衬底图像中提取出多个表面轮廓位点，多个表面轮廓位点均为处于微纳结构图形边缘的位置点。根据表面轮廓位点的位置和目标工艺参数确定各个表面轮廓位点的预期反应速率。利用预设工艺时间和预期反应速率计算各个表面轮廓位点薄膜厚度变化。根据各个表面轮廓位点薄膜厚度变化更新衬底图像中微纳结构图形边缘的界面，以预测出用于半导体器件的薄膜形貌。本发明提供了用于指导薄膜工艺设计开发和优化的薄膜形貌预测结果，基于本发明方案可达到实现工艺设计预期、降低研发成本及推进研发进度等技术目的。
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公开(公告)号：CN113051863A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110271530.X
申请日：2021-03-12
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明涉及一种半导体建模方法、半导体建模装置、存储介质及计算机设备，包括：获取实际衬底图像；基于所述实际衬底图像，得到衬底表面轮廓上若干坐标位点的坐标信息；基于所述坐标信息，得到各所述坐标位点的反应速率；基于各所述坐标位点的反应速率，对衬底表面的生长轮廓进行演化，以得到所述衬底表面的沉积模型。上述半导体建模方法、装置、存储介质及计算机设备可以更加真实的模拟出衬底上进行薄膜沉积后的形貌及可能出现的孔洞、缝隙等薄膜缺陷，从而对薄膜生长工艺具备更好的指导意义。
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公开(公告)号：CN113471093B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110639484.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置。该薄膜形貌预测方法包括如下步骤：读取衬底图像，衬底图像上具有微纳结构图形。从衬底图像中提取出多个表面轮廓位点，多个表面轮廓位点均为处于微纳结构图形边缘的位置点。根据表面轮廓位点的位置和目标工艺参数确定各个表面轮廓位点的预期反应速率。利用预设工艺时间和预期反应速率计算各个表面轮廓位点薄膜厚度变化。根据各个表面轮廓位点薄膜厚度变化更新衬底图像中微纳结构图形边缘的界面，以预测出用于半导体器件的薄膜形貌。本发明提供了用于指导薄膜工艺设计开发和优化的薄膜形貌预测结果，基于本发明方案可达到实现工艺设计预期、降低研发成本及推进研发进度等技术目的。
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