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公开(公告)号：CN113031390B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110274061.7
申请日：2021-03-15
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。
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公开(公告)号：CN117518708A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311602348.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 一种图形修正方法，包括：获得探测版图，所述探测版图包括若干所述第一曝光图形和若干所述第二曝光图形，通过在探测版图内建立粗探测区的方法，且以所述第一曝光图形与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值，所述最小距离值用于计算相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的桥连缺陷的概率，所述最小距离值越小，产生桥连缺陷的概率越大，仅将可能产生桥连缺陷的第一轮廓边和第二轮廓边包括在各精细探测区内进行计算，而不需要对所有的轮廓边的检测点进行计算，极大地减少了计算量，利于缩短数据处理时间。
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公开(公告)号：CN115933317A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211582100.0
申请日：2022-12-09
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请提供了一种旋涂方法、其控制装置以及旋涂系统。该方法包括：第一控制步骤，控制放置有晶圆的台面以第一转速旋转持续第一时间段，并控制喷射单元喷射第一体积的光刻胶至晶圆的表面，光刻胶至少包括溶剂以及光敏化合物；第二控制步骤，控制台面以第二转速旋转持续第二时间段，直到光刻胶覆盖晶圆的表面，第二转速小于第一转速；第三控制步骤，控制台面以第三转速旋转持续第三时间段，第三转速大于第二转速且小于第一转速。该方法采用先高速旋转喷射光刻胶、再低速覆盖晶圆、最后高速旋涂的方式进行光刻胶旋涂，达到了减少光刻胶膜厚的目的，从而实现了节省光刻胶的技术效果，进而解决了光刻胶消耗量大、利用率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN112729133B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202011509110.2
申请日：2020-12-18
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明提供了一种基于探测光栅衍射强度测量薄膜厚度的方法及装置，包括：提供待测晶圆；控制预设波长的探测光源照射待测晶圆具有薄膜结构一侧，探测光源透过薄膜结构照射多个光栅区，探测光源在多个光栅区衍射后透过薄膜结构出射；采集每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i预设衍射光，第i预设衍射光为预设衍射级次的衍射光；根据第i预设衍射光确定每个光栅区的预设位置衍射时分别透过第i薄膜层的第i光栅衍射强度；参考每个光栅区的预设位置分别位于晶片的坐标和每个光栅区的预设位置分别对应的第i光栅衍射强度，拟合第i薄膜层的厚度曲线。本发明无需增加额外工艺，能够有效保证晶圆的制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN114068379A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210046398.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 广州粤芯半导体技术有限公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种对准标记形成方法及半导体器件的制造方法，先根据金属层的厚度参数以及光刻胶层的厚度参数建立一仿真模型，金属层的厚度参数及光刻胶层的厚度参数作为所述仿真模型的变量参数；然后通过仿真模型得到在不同的所述变量参数时所述对准标记的对准质量参数；并判断所述对准标记是否符合预设标准；通过所述对准标记的判断结果对所述金属层的厚度参数以及所述光刻胶层的厚度参数进行筛选，以得到合格的金属层厚度参数以及相应的光刻胶层厚度参数，在衬底上形成具有所述合格的金属层厚度参数的金属层，并在所述具有所述合格的金属层厚度参数的金属层中形成新的对准标记,从而提高对准标记的质量，进而解决对准失效的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113589642A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110757830.9
申请日：2021-07-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明能够提供集成电路开路缺陷预测的方法、装置、计算机设备及介质，该方法可包括如下步骤。对集成电路设计版图包含的光刻图形进行光学邻近效应矫正，以得到第一仿真图形。基于刻蚀第一仿真图形的过程对第一仿真图形进行修正，以得到第二仿真图形。基于化学机械平坦化处理第二仿真图形的过程对第二仿真图形进行修正，以得到第三仿真图形。通过对第三仿真图形包含的目标线条图形进行分段划分的方式确定多个图形片段。根据所有图形片段的形貌特征预测目标线条图形是否存在开路缺陷。本发明结合了光学邻近效应、刻蚀、化学机械平坦化等多种工艺的涨落因素，实现一种抗工艺涨落的集成电路开路缺陷预测方法，提升了集成电路的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN113009789A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110244338.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。
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公开(公告)号：CN119200341A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411286748.2
申请日：2024-09-13
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于套刻误差的联合优化方法、装置、设备及介质。该方法包括：获取样本量测数据，确定初始套刻误差补偿模型中的待调整参数；对待调整参数进行分组，得到候选模型参数组和参考模型参数组，分别确定候选模型参数组对应的候选套刻误差补偿模型，以及参考模型参数组对应的参考套刻误差补偿模型；根据样本量测数据、候选套刻误差补偿模型和参考套刻误差补偿模型，确定目标套刻误差补偿模型；对样本量测数据进行分组，得到候选量测数据组和参考量测数据组，并根据候选量测数据组、参考量测数据组和目标套刻误差补偿模型，确定目标采样方案。提高了模型的适用性，提高了采样方案的准确度和适用性，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN113589654B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110712768.1
申请日：2021-06-25
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。
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公开(公告)号：CN113608410B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110672856.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。
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