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公开(公告)号：CN118169974A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410202204.7
申请日：2024-02-23
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。方法包括：获取晶圆上各曝光场的套刻误差量测数据；利用套刻误差量测数据确定套刻误差补偿模型的参考修正量；根据晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案；利用晶圆中除候选曝光场外的其他曝光场的套刻误差量测数据，确定套刻误差补偿模型的候选修正量；根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合参考修正量，从候选曝光场剔除方案中选出最佳曝光场剔除方案；将最佳曝光场剔除方案所包括的目标曝光场从晶圆中剔除，返回执行确定候选曝光场剔除方案的操作；根据晶圆中剩余的曝光场，确定最佳曝光场采样方案。本发明可保证采样位置和数量准确性。
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公开(公告)号：CN119200341A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411286748.2
申请日：2024-09-13
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于套刻误差的联合优化方法、装置、设备及介质。该方法包括：获取样本量测数据，确定初始套刻误差补偿模型中的待调整参数；对待调整参数进行分组，得到候选模型参数组和参考模型参数组，分别确定候选模型参数组对应的候选套刻误差补偿模型，以及参考模型参数组对应的参考套刻误差补偿模型；根据样本量测数据、候选套刻误差补偿模型和参考套刻误差补偿模型，确定目标套刻误差补偿模型；对样本量测数据进行分组，得到候选量测数据组和参考量测数据组，并根据候选量测数据组、参考量测数据组和目标套刻误差补偿模型，确定目标采样方案。提高了模型的适用性，提高了采样方案的准确度和适用性，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118131576A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410202207.0
申请日：2024-02-23
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质，涉及半导体技术领域。方法包括：获取预设的采样参数；其中，所述采样参数用于表征量测套刻误差时需要采样的曝光场的数量；确定晶圆中不同曝光场之间的几何位置分布特征；基于所述几何位置分布特征和所述采样参数，利用集束搜索算法确定量测套刻误差时所要采样的目标曝光场。本发明方案基于晶圆中不同曝光场之间的几何位置分布特征确定最终的曝光场采样方案，相比于通过人工随机确定的方式，可以保证确定的待采样曝光场能够均匀的分布在晶圆上，使得选出的目标曝光场具有较好的晶圆代表性。
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公开(公告)号：CN115933333A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310088349.4
申请日：2023-01-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请公开了一种套刻误差补偿模型参数配置方法及装置，根据预设的参数数量选择套刻误差补偿模型中的模型参数，获得配置后的套刻误差补偿模型。对套刻误差量测数据、配置后的模型和配置后的模型的参数值进行计算，以获取表征量，并将表征量和套刻误差量测数据进行求差处理，获得表征残值。将表征残值进行归一化处理，获得配置后模型的评价参数。根据预设的参数数量选择不同的模型参数，以获取配置后的模型的集合，并对配置后的模型的集合进行迭代处理，获得评价参数集合。根据评价参数集合中最小的评价参数，获得优化后的套刻误差补偿模型。评价参数最小的模型参数配置最优，针对性的提高了模型的补偿精度。
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