公开(公告)号：CN117991592A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311761151.4

申请日：2023-12-19

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 王新昌 ,  韦亚一 ,  刘艳松

IPC: G03F7/16 ,  B05D1/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种旋涂方法，包括：提供晶圆；将所述晶圆以第一转速转动时，向所述晶圆表面的中心滴入光刻胶，并在滴入光刻胶后，使所述晶圆以所述第一转速转动第一时间段；控制所述晶圆以第二转速转动第二时间段后，控制所述晶圆以第三转速转动第三时间段，所述第三转速大于所述第二转速；控制所述晶圆由所述第三转速转变到第四转速转动后，再从所述第四转速转变到第五转速并转动第五时间段，在所述晶圆的表面形成光刻胶层；解决高粘度光刻胶在转速过大或者过小情况下，晶圆表面堆积光刻胶引起的膜厚和均匀性差等问题，提高光刻工艺的质量。

公开(公告)号：CN115933317A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211582100.0

申请日：2022-12-09

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 王新昌 ,  韦亚一 ,  刘艳松

IPC: G03F7/16

Abstract: 本申请提供了一种旋涂方法、其控制装置以及旋涂系统。该方法包括：第一控制步骤，控制放置有晶圆的台面以第一转速旋转持续第一时间段，并控制喷射单元喷射第一体积的光刻胶至晶圆的表面，光刻胶至少包括溶剂以及光敏化合物；第二控制步骤，控制台面以第二转速旋转持续第二时间段，直到光刻胶覆盖晶圆的表面，第二转速小于第一转速；第三控制步骤，控制台面以第三转速旋转持续第三时间段，第三转速大于第二转速且小于第一转速。该方法采用先高速旋转喷射光刻胶、再低速覆盖晶圆、最后高速旋涂的方式进行光刻胶旋涂，达到了减少光刻胶膜厚的目的，从而实现了节省光刻胶的技术效果，进而解决了光刻胶消耗量大、利用率低的技术问题。