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发明公开
光源掩模优化方法及光刻仿真装置审中-实审

公开(公告)号：CN113759659A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111050334.6

申请日：2021-09-08

Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 何建芳 , 韦亚一 , 张利斌 , 高澎铮 , 王云 , 薛静 , 叶甜春

IPC: G03F1/70

Abstract: 本发明涉及一种光源掩模优化方法，包括：提供待优化掩模图形，所述待优化掩模图形包括斜线图形；将所述待优化掩模图形按照第一方向旋转第一角度，使得所述斜线图形的延伸方向为水平方向或竖直方向；基于旋转后的所述待优化掩模图形进行第一次光源优化，以得到第一优化光源；基于旋转前的所述待优化掩模图形进行第一次掩模优化，以得到第一优化掩模图形；将所述第一优化光源按照第二方向旋转所述第一角度，以得到第二优化光源，所述第二方向与所述第一方向相反；基于所述第一优化掩模图形和所述第二优化光源进行第二次掩模优化，以得到第二优化掩模图形。采用上述光源掩模优化方法，可以得到更加接近目标图形的光刻仿真图形。

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