公开(公告)号：CN1450642A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN02106145.9

申请日：2002-04-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 季明华 ,  蔡嘉雄 ,  杜友伦

IPC: H01L27/01 ,  H01L27/00 ,  H01G4/40

Abstract: 一种螺旋电感内含垂直电容的结构，包含一多层导线以直立方式环绕的螺旋电感，及复数个直立式电容形成于电感线圈之内，借以改善半导体基板平面面积之利用，且由于二个以上电容形成于电感内部，涡电流因被阻断，故能量损耗低。

公开(公告)号：CN110277413B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201811219747.0

申请日：2018-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L21/768

Abstract: 本揭露涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一些实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、装置的群组、多个侧壁隔片及接触结构。所述装置的所述群组布置于所述衬底上方。所述多个侧壁隔片在所述装置的所述群组的侧向表面上方。所述侧壁隔片彼此邻接且协作地界定所述装置之间的封闭区。所述接触结构在所述装置之间布置于所述封闭区中。所述接触结构电连接到所述装置的所述群组中的一个装置。

公开(公告)号：CN113629012A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110744042.6

申请日：2021-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸群 ,  李汝谅 ,  蔡嘉雄 ,  江振豪

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成第一扩散阻挡层；在第一扩散阻挡层上方形成半导体器件层，半导体器件层包括晶体管；在半导体器件层的前侧的半导体器件层上方形成第一互连结构，第一互连结构电耦合至晶体管；将第一互连结构附接到载体；在附接之后去除衬底、蚀刻停止层和第一扩散阻挡层；在去除之后，在半导体器件层的背侧处形成第二互连结构。

公开(公告)号：CN113346035A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010783248.5

申请日：2020-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  蔡嘉雄 ,  黄信华 ,  张宇行 ,  林勇志

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开涉及一种处理工具，所述处理工具包括第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。第一晶片安装框架被配置成固持目标晶片。第二晶片安装框架被配置成固持掩蔽晶片。掩蔽晶片包括由穿过掩蔽晶片的多个开口构成的掩模图案以对应于将形成在目标晶片上的预定沉积图案。沉积室被配置成当第一晶片安装框架与第二晶片安装框架夹持在一起以固持目标晶片及掩蔽晶片时接纳第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。沉积室包括材料沉积源，所述材料沉积源被配置成通过掩模图案中的所述多个开口从材料沉积源沉积材料，以在目标晶片上以预定沉积图案形成材料。

公开(公告)号：CN110216578B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201910553474.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B41/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。

公开(公告)号：CN110875241A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910456703.8

申请日：2019-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  卢玠甫 ,  刘冠良 ,  周世培 ,  郑有宏 ,  杜友伦

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 本申请的各种实施例涉及一种用于形成具有厚器件层和厚绝缘层的绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。在一些实施例中，该方法包括形成覆盖处理衬底的绝缘层，并在牺牲衬底上外延形成器件层。将牺牲衬底接合到处理衬底，使得器件层和绝缘层位于牺牲衬底和处理衬底之间，并且去除牺牲衬底。去除包括对牺牲衬底实施蚀刻直到到达器件层。因为器件层通过外延形成并转移到处理衬底，所以器件层可以形成为具有大的厚度。此外，因为外延不受绝缘层厚度的影响，所以绝缘层可以形成为具有大的厚度。本发明实施例涉及用于形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。

公开(公告)号：CN110216578A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910553474.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B41/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。

公开(公告)号：CN110061138A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811486762.1

申请日：2014-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁晋玮 ,  林杏莲 ,  蔡正原 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明提供了一种光敏器件。该光敏器件包括供体受体混合(PIN)结构。PIN结构包括：有机空穴传输层；有机电子传输层；以及夹在空穴传输有机材料层和电子传输有机材料层之间的混合层。混合层包括n型有机材料和p型有机材料的混合物。本发明提供了具有电子阻挡层和空穴传输层的有机光敏器件。

公开(公告)号：CN105826466B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201510755878.0

申请日：2015-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  蔡嘉雄 ,  梁晋玮 ,  蔡正原 ,  林杏莲 ,  杨晋杰 ,  朱文定

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了具有基于V族氧化物和氧化铪的高κ层的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括底部电极层；V族氧化物层，布置在底部电极层上方；和氧化铪基层，布置在V族氧化物层上方并且邻接V族氧化物层。RRAM单元还包括覆盖层，布置在氧化铪基层上方并且邻接氧化铪基层；以及顶部电极层，布置在覆盖层上方。还提供了一种用于制备RRAM单元的方法。本发明实施例涉及改进的电阻式随机存取存储器(RRAM)结构。

公开(公告)号：CN103707177B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201310020037.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  刘丙寅 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/11

Abstract: 本发明提供了一种用于晶圆边缘修整的研磨轮，包括：具有开口侧的头部以及环绕所述头部的开口侧的边缘接合的研磨端。所述研磨端被布置成在所述晶圆边缘修整期间具有环绕晶圆边缘的多个同步触点。