-
公开(公告)号：CN107482090A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710719752.7
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/78
Abstract: 本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。
-
公开(公告)号：CN105720139B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610098961.X
申请日：2016-02-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 提高氮化物发光二极管P型掺杂浓度的外延生长方法，涉及氮化物外延技术领域，本发明在衬底上依次生长缓冲层、N型层、发光有源层、电子阻挡层、P型层和接触层，其特征在于：在N2和氨气的氛围下，通过控制三甲基铟流量分层生长形成P型层，形成的P‑AlXGa1‑XN材料层空穴浓度可明显提高，方块电阻可明显降低，基于此材料层的LED光电性能可明显提升。
-
公开(公告)号：CN105047785B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510570680.5
申请日：2015-09-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有微光学传输系统的发光二极管，包括一外延衬底，所述外延衬底上方设置一缓冲层，所述缓冲层上方设置一第一型导电层，所述第一型导电层上方设置一有源层，所述有源层上方设置一第二型导电层，所述第二型导电层上方设置一图形制作层，所述图形制作层内下端部设置有电极布拉格反射层，所述电极布拉格反射层具有若干个圆柱状孔洞，且该若干个圆柱状孔洞内充满所述图形制作层材料，所述图形制作层上方设置若干圆弧台型立体反射器，所述圆弧台型立体反射器上方设置一焊台电极。本发明能够避免光再次被有源层或外延衬底吸收，有效地把焊台电极下部有源层发出的光有效地传输至外延层表面，增加焊台电极遮光处光的萃取率。
-
公开(公告)号：CN107275454A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710601402.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种发光二极管的外延生长方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上外延生长非故意掺杂GaN层；其中，所述非故意掺杂GaN层外延生长若干个生长周期，每个生长周期包括：第一生长阶段和第二生长阶段；在所述第一生长阶段，镓前驱源的流量为第一流量，在所述第二生长阶段，镓前驱源的流量为第二流量，所述第一流量大于所述第二流量。该方法通过镓前驱源的流量高低交替变化的方式实现生长速率呈高低速交替变化的方式生长GaN层，从而实现了提高发光二极管的生长速率的同时，使得外延氮化镓晶体质量不会变差的效果。
-
公开(公告)号：CN104347359B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410477236.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L33/02 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种高效的衬底剥离方法，包括以下步骤：步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。本发明可以提高外延结构与衬底的剥离速率，且解决剥离时外延结构容易破损的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104377219B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
-
公开(公告)号：CN103715324B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410000665.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种新型结构的发光二极管，包括透明基板、外延片、第一电极和第二电极，所述外延片依次包括n型欧姆层、n型粗化层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型粗化层、p型欧姆层，所述n型欧姆层端面的面积小于n型粗化层端面的面积，所述p型欧姆层端面的面积小于p型粗化层端面的面积，外延片靠p型粗化层和p型欧姆层的一侧通过透明导电胶层粘接在透明基板上，第一电极连接在n型欧姆层上，第二电极连接在透明导电胶层上，所述n型粗化层和p型粗化层的外表面经腐蚀液蚀刻成凹凸状；所述p型欧姆层的外端面还镀有合金层；本发明还公开上述发光二极管的制造方法；本发明有效降低发光二极管内部全反射造成出射光的损耗，提高了出光效率。
-
公开(公告)号：CN106328775A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610788677.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开一种提高发光二极管外延良率的生长方法，一，采用PVD蒸镀衬底；二，采用MOCVD在AlN缓冲层上三维生长第一3D层；三，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第一3D层，直至PSS图形侧面的第一3D层被完全蚀刻掉；四，降温继续三维生长第二3D层；五，蚀刻PSS图形侧面和衬底平面上的第二3D层，直至PSS图形侧面的第二3D层被完全蚀刻掉，且PSS图形侧面的AlN缓冲层也被部分蚀刻，而平面上第二3D层部分蚀刻；六，重复以上循环多次；七，接着在最上层3D层上依次生长非故意掺杂层、n型导电层、有源区和P型导电层。本发明解决在外延生长过程产生外延片的一致性变差，影响外延片的良率的问题。
-
公开(公告)号：CN106025010A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610567047.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄鑫茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层刻蚀形成台阶并将N‑GaN层部分裸露，在P‑GaN层台阶上依次形成DBR导电反射层和金属反射层，在N‑GaN层的裸露部分设置N金属导电层及电流扩展条，在金属反射层上方以及N金属导电层和N‑GaN层裸露部分的上方形成绝缘层；所述绝缘层上形成若干通孔，在绝缘层上分别设置P共金层和N共金层，P共金层通过通孔与金属反射层连接，N共金层通过通孔与N金属导电层连接，绝缘层将N金属导电层与P共金层隔离，将DBR导电反射层与N共金层隔离。本发明提高了发光二极管产品的发光可靠性，降低工艺难度和制作成本。
-
公开(公告)号：CN106025007A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557362.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/325 , H01L33/385 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开一种深紫外发光二极管的芯片结构，在芯片周围设置与第一电极相连接的第一型扩展电极，第一型扩展电极与第一电极设置于第一型欧姆接触层之上，通过电极隔离层隔离第一电极、第一型扩展电极与外延结构的连接；第一型欧姆接触层置于第一型导电层之上，且通过电极隔离层隔离第一型欧姆接触层与外延结构的连接。本发明还公开一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法。本发明有效降低深紫外发光二极管的工作电压，且提高内量子效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
390
records
(took 0.053 seconds)
