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公开(公告)号：CN106206863A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364734.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , C30B29/403 , C30B33/06 , F21K9/237 , F21K9/275 , F21S41/141 , F21S43/14 , F21V23/005 , F21Y2113/10 , F21Y2115/10 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02658 , H01L33/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。
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公开(公告)号：CN103730491A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310168042.1
申请日：2013-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H03K3/012
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT）和驱动该HEMT的方法。HEMT包括：用于在沟道层内部感应出二维电子气（2DEG）的沟道提供层；在沟道提供层上形成的耗尽形成层；在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的第一栅极电极；以及在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的至少一个第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN111133455B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201880061613.2
申请日：2018-10-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/088 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本文提供了一种用于执行深度学习的处理器。该处理器包括处理元件单元，该处理元件单元包括以矩阵形式排列的多个处理元件，该矩阵形式包括多个处理元件的第一行和多个处理元件的第二行。处理元件由通过被连接到多个处理元件的第一行的第一数据输入单元来馈送过滤器数据。第二数据输入单元将目标数据馈送到处理元件。由寄存器组成的移位器将指令馈送到处理元件。处理器中的控制器控制处理元件、第一数据输入单元和第二数据输入单元以处理过滤器数据和目标数据，从而提供乘积和(卷积)功能。
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公开(公告)号：CN110010740B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201811486130.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。
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公开(公告)号：CN117497657A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310967137.3
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件、显示装置及其制造方法。发光器件包括：掺有n型掺杂剂并具有第一晶格常数的第一氮化物半导体层；提供在第一氮化物半导体层上并具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的有源层，该有源层包括包含铟的氮化物半导体材料；插置在第一氮化物半导体层和有源层之间并具有在第一晶格常数和第二晶格常数之间的第三晶格常数的应力松弛层，该应力松弛层包括包含铟的氮化物半导体材料；以及提供在有源层上并掺有p型掺杂剂的第二氮化物半导体层，其中有源层包括：提供在应力松弛层的上表面上的上有源区，以及提供在应力松弛层的侧表面上的侧有源区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117497656A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310265604.8
申请日：2023-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光器件以及包括该发光器件的显示器和电子设备。该发光器件包括基底半导体层、三维(3D)发光结构和形成为平坦形状的平坦发光结构，其中平坦发光结构产生具有与3D发光结构的波长不同的波长的光。缓和基底半导体层与平坦发光结构之间的晶格失配的应变缓和层可以在基底半导体层上布置在其中至少形成平坦发光结构的区域中。
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公开(公告)号：CN115528152A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210738705.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化镓发光器件、包括该氮化镓发光器件的显示装置以及该氮化镓发光器件的制造方法。该氮化镓发光器件可以是条型发光器件并且包括n‑GaN半导体层、与n‑GaN半导体层间隔开的p‑GaN半导体层、布置在n‑GaN半导体层和p‑GaN半导体层之间的有源层、以及包括铟簇和空隙的应变松弛层。
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公开(公告)号：CN110494867A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880019678.0
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/04
Abstract: 提供了一种用于执行机器学习的电子装置、一种机器学习方法、以及一种非暂时性计算机可读记录介质。该电子装置包括：运算模块，被配置为包括以预定模式排列的多个处理元素，并且在彼此相邻的多个处理元素之间共享数据以执行运算；以及处理器，被配置为控制运算模块通过对输入数据应用滤波器来执行卷积运算，其中，处理器控制运算模块通过以预定次序将配置二维滤波器的多个元素中的每一个输入到多个处理元素并将多个元素顺序地应用于输入数据来执行卷积运算。
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公开(公告)号：CN118299479A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311633964.5
申请日：2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了发光器件和包括该发光器件的显示装置。在一些实施方式中，一种发光器件包括配置为发射第一波长的光的第一发光元件、提供在第一发光元件上的PN结层、以及提供在PN结层上并配置为发射不同于第一波长的第二波长的光的第二发光元件。PN结层包括提供在第一发光元件上并掺有第一导电类型的杂质的第一导电类型半导体层、以及提供在第一导电类型半导体层上并掺有与第一导电类型电相反的第二导电类型的杂质的第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN110010734B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201811521399.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
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