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公开(公告)号：CN110164956A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910481251.9
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/223 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
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公开(公告)号：CN104637820B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201410646259.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
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公开(公告)号：CN107068536A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610948185.8
申请日：2016-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45536 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28088 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/4966 , H01L29/4983 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L21/0214 , H01L21/02282 , H01L21/28194 , H01L29/42364
Abstract: 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。
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公开(公告)号：CN104637820A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410646259.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。
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公开(公告)号：CN118263300A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311610526.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L29/45 , H01L29/786 , H10B12/00
Abstract: 提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟(In)和锌(Zn)中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构电连接至氧化物半导体层。源极结构和漏极结构中的每一个包括氧化物半导体层上的铟镓锡氧化物(IGTO)膜、IGTO膜上的导电金属氮化物膜、导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个、以及源电极和漏电极中的一个的顶表面上的顶部封盖层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110416061B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201910292773.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。
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公开(公告)号：CN117650123A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311129011.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域。内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离气隙的方向上降低的梯度。
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公开(公告)号：CN116583105A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310045511.4
申请日：2023-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体设备包括：位线，其在衬底上在第一水平方向上延伸；沟道层，其位于位线上，沟道层在竖直方向上延伸，包括包含铟的第一氧化物半导体材料，并且具有第一侧壁和第二侧壁；字线，其位于沟道层的第一侧壁上；接触形成区域，其位于沟道层的顶表面和第二侧壁的上部上，接触形成区域包括包含铟并且具有比沟道层的电阻率低的电阻率的第二氧化物半导体材料；接触层，其位于接触形成区域上；以及电容器结构，其位于接触层的顶表面上。
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公开(公告)号：CN116096082A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211348797.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；导电线，在基板上在第一水平方向上延伸；隔离绝缘层，在基板和导电线上在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并限定从隔离绝缘层的上表面延伸穿过隔离绝缘层到隔离绝缘层的下表面的沟道沟槽；结晶氧化物半导体层，沿着沟道沟槽的内侧表面的至少一部分和沟道沟槽的底表面的至少一部分延伸并电连接到导电线；以及栅电极，在沟道沟槽内在结晶氧化物半导体层上在第二水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN107968119A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710217824.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/42376 , H01L23/5283 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/7831 , H01L29/78696 , H01L29/4232
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
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