公开(公告)号：CN115996576A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211272066.7

申请日：2022-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旻炅 ,  李洙衡 ,  林舒禧 ,  延国贤 ,  卓容奭

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成模结构，该模结构包括交替地且重复地堆叠在基板上的绝缘层和牺牲层；形成延伸穿过模结构的沟道孔；在沟道孔中形成阻挡层；在阻挡层上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成包括掺杂元素的隧道绝缘层；执行热处理以使掺杂元素从隧道绝缘层扩散到电荷存储层；以及在隧道绝缘层上形成沟道层。

公开(公告)号：CN117650123A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311129011.5

申请日：2023-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  朴舒禧 ,  卓容奭 ,  姜旻炅 ,  许埈宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域。内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离气隙的方向上降低的梯度。

公开(公告)号：CN118540936A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311334162.4

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旻炅 ,  朴舒禧 ,  卓容奭 ,  许埈宁

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，并且根据实施例的半导体装置包括：衬底，其包括由元件隔离层限定的有源区；与有源区交叉的字线；位线，其在与字线不同的方向上与有源区交叉；直接接触件，其连接在有源区和位线之间；连接到有源区的埋置接触件；以及位线间隔件，其设置在位线和埋置接触件之间并且包括碳。位线间隔件包括与位线相邻并具有第一碳含量的第一区和与埋置接触件相邻并具有高于第一碳含量的第二碳含量的第二区。

公开(公告)号：CN118250995A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311743410.0

申请日：2023-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  朴舒禧 ,  卓容奭 ,  姜旻炅 ,  许埈宁

IPC: H10B12/00 ,  H10B53/30 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件包括：线结构，在下部结构上，并且包括导电图案和在导电图案上的绝缘封盖图案；接触结构，包括下部和在下部上的上部，该下部与线结构的侧表面相邻；在接触结构的下部的侧表面和线结构的侧表面之间的间隔物结构；在间隔物结构上的绝缘分离图案；以及在接触结构的上部和绝缘分离图案之间的保护层。间隔物结构包括内部间隔物、外部间隔物以及在内部间隔物和外部间隔物之间的气隙。内部间隔物和外部间隔物的由气隙暴露的区域包括氧化物。绝缘分离图案密封气隙的上部的至少一部分。